Zobrazeno 1 - 10
of 143
pro vyhledávání: '"L. Malikova"'
Publikováno v:
Frattura ed Integrità Strutturale, Vol 11, Iss 41 (2017)
In this paper, the attention is paid to investigation of the importance of the interfacial transition zone (ITZ) in selected fine-grained cement-based composites for the global fracture behaviour. This is a region of cement paste around the aggregate
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ca22e5ec32884232b9f66572bc90d9f0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chris L. Littler, A. G. Birdwell, Fred H. Pollak, P. Stauß, W. Henrion, L. Malikova, G. Behr, Robert Glosser, M. Rebien, G. H. Buh, T. J. Shaffner, Deane Chandler-Horowitz, Steve Collins
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 95:2441-2447
Photoreflectance spectra were obtained from an epitaxial film and a bulk single crystal of β-FeSi2 at low temperatures (T⩽180 K). A model based on the results of low-temperature absorption [M. Rebien et al., Appl. Phys. Lett. 74, 970 (1999)] was u
Autor:
A. Amtout, Fred H. Pollak, J. P. Debray, J. S. Liang, R. Hoffman, Ying-Sheng Huang, L. Malikova, S. D. Wang, R. A. Stall
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 93:1874-1878
We have investigated a 1.3 μm InGaAlAs/InP vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) structure using angle- and temperature-dependent wavelength-modulated differential surface photovoltage spectroscopy (DSPS). The DSPS measurements as functions
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 29:1346-1350
Using contactless electroreflectance (CER) and piezoreflectance at 300 K we have characterized a GaAs/GaAs1−xPx multiple quantum well (MQW) structure, “GaAs” (nominal) and GaAsP epilayers grown by chloride transport chemical vapor deposition on
Autor:
Fred H. Pollak, L. Malikova, Zhe Chuan Feng, Ian T. Ferguson, R. A. Stall, Todd Holden, M. Pavlosky, J. Z. Wan, E. Armour
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 85:3824-3831
The quaternary alloy In0.48(Ga1−xAlx)0.52P, lattice-matched to GaAs, has a direct band gap transition in the wavelength range of green-red light and is useful in optoelectronic applications such as visible light emitting diodes and laser diodes. We
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 27:484-487
The composition and temperature dependence (20K
Publikováno v:
Solid State Communications. 103:273-278
We have measured the temperature dependence of the A, B and C excitonic transitions associated with the direct gap of wurtzite Ga0.95Al0.05N in the temperature range 16K < T < 434K using contactless electroreflectance. The parameters that describe th