Zobrazeno 1 - 10
of 11
pro vyhledávání: '"L. Loureiro da Silva"'
Publikováno v:
Journal of Superconductivity. 16:283-287
It is shown that spin-polarized currents occur in metallic and ferromagnetic Ga1−xMnxAs/GaAs multilayered structures, as a result of the magnetic interaction between holes and the Mn ions. The magnetic layers act as potential barriers for holes wit
Publikováno v:
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 15:23-26
The spin-dependent lateral mobility of the hole gas in a AlAs/GaAs quantum well inserted by two Ga 1− x Mn x As metallic ferromagnetic layers is studied. A self-consistent approach is used to calculate the electronic structure taking into account t
Publikováno v:
Physica B: Condensed Matter. 320:392-395
The spin-dependent mobility for the lateral transport of the hole gas in a GaMnAs/GaAs ferromagnetic superlattice is calculated. The electronic structure is obtained self-consistently taking into account the direct Coulomb Hartree and exchange-correl
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 93:6790-6792
The magnetic order resulting from an indirect exchange between magnetic moments in the metallic phase of a Ga1−xMnxAs bilayered structure is studied via Monte Carlo simulation. The coupling mechanism involves a perturbative calculation in second or
Autor:
José Weberszpil, M. A. Boselli, L. Loureiro da Silva, A. Ghazali, I. C. da Cunha Lima, X. F. Wang, S. S. Makler
Publikováno v:
Brazilian Journal of Physics v.32 n.2a 2002
Brazilian Journal of Physics
Sociedade Brasileira de Física (SBF)
instacron:SBF
Brazilian Journal of Physics, Volume: 32, Issue: 2a, Pages: 433-435, Published: JUN 2002
Brazilian Journal of Physics
Sociedade Brasileira de Física (SBF)
instacron:SBF
Brazilian Journal of Physics, Volume: 32, Issue: 2a, Pages: 433-435, Published: JUN 2002
Mn in GaAs substitutes Ga as a p dopant and introduces a localized magnetic moment of 5/2. Ga1–xMn xAs (for x » 0.04) has been proved to be an extremely interesting material, for its intrincated transport and magnetic properties. In the first part
The spin-dependent mobility for the lateral transport of the hole gas in a GaMnAs/GaAs heterostructure containing several metallic-like ferromagnetic layers is calculated. The electronic structure is obtained self-consistently taking into account the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2af5605d8475b343203ce7066a21993a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.