Zobrazeno 1 - 10
of 72
pro vyhledávání: '"L. Limouny"'
Autor:
F. Elmourabit, S. Dlimi, A. El Moutaouakil, F. Id Ouissaaden, A. Khoukh, L. Limouny, H. Elkhatat, A. El Kaaouachi
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 14, p 2047 (2023)
Our investigation focuses on the analysis of the conductive properties of high-mobility 2D-Si-MOSFETs as they approach the critical carrier density, nsc (approximately 0.72×1011 cm−2), which marks the metal insulator transition (MIT). In close pro
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/95aa3432196f451e9bf9b4b9c6786654
Autor:
Kaaouachi, F. Elmourabit, S. Dlimi, A. El Moutaouakil, F. Id Ouissaaden, A. Khoukh, L. Limouny, H. Elkhatat, A. El
Publikováno v:
Nanomaterials; Volume 13; Issue 14; Pages: 2047
Our investigation focuses on the analysis of the conductive properties of high-mobility 2D-Si-MOSFETs as they approach the critical carrier density, nsc (approximately 0.72×1011cm−2), which marks the metal insulator transition (MIT). In close prox
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Transactions on Electrical and Electronic Materials. 23:457-461
Since the first observations metallic behavior in Si-MOSFETs (Silicon-Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), the nature of the metal insulator transition in two-dimensional (2D) systems has remained a controversial issue and the temperat
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Bulletin of Materials Science. 44
Cadmium arsenide (Cd3As2) is a Dirac semimetal intensively investigated in the last decade due to its stability and high mobility. Cd3As2 shows large negative magnetoresistance (NMR) over a wide range of magnetic field. Such NMR has been analysed in
Publikováno v:
Lithuanian Journal of Physics. 60
We have investigated the resistivity of a 2D hole system in GaAs in the temperature range 200 mK < T < 800 mK at zero magnetic field and low hole densities when the system is near the metal–insulator transition in the insulating side. We have found
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 42:052001
In this paper, we discuss low-temperature hopping-conductivity behavior in the insulating phase, in the absence of a magnetic field. We conduct a theoretical study of the crossover from hopping to activated transport in a GaAs two-dimensional hole sy