Zobrazeno 1 - 10
of 94
pro vyhledávání: '"L. Limouny"'
Autor:
F. Elmourabit, S. Dlimi, A. El Moutaouakil, F. Id Ouissaaden, A. Khoukh, L. Limouny, H. Elkhatat, A. El Kaaouachi
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 14, p 2047 (2023)
Our investigation focuses on the analysis of the conductive properties of high-mobility 2D-Si-MOSFETs as they approach the critical carrier density, nsc (approximately 0.72×1011 cm−2), which marks the metal insulator transition (MIT). In close pro
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/95aa3432196f451e9bf9b4b9c6786654
Autor:
Kaaouachi, F. Elmourabit, S. Dlimi, A. El Moutaouakil, F. Id Ouissaaden, A. Khoukh, L. Limouny, H. Elkhatat, A. El
Publikováno v:
Nanomaterials; Volume 13; Issue 14; Pages: 2047
Our investigation focuses on the analysis of the conductive properties of high-mobility 2D-Si-MOSFETs as they approach the critical carrier density, nsc (approximately 0.72×1011cm−2), which marks the metal insulator transition (MIT). In close prox
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Transactions on Electrical and Electronic Materials. 23:457-461
Since the first observations metallic behavior in Si-MOSFETs (Silicon-Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), the nature of the metal insulator transition in two-dimensional (2D) systems has remained a controversial issue and the temperat
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Bulletin of Materials Science. 44
Cadmium arsenide (Cd3As2) is a Dirac semimetal intensively investigated in the last decade due to its stability and high mobility. Cd3As2 shows large negative magnetoresistance (NMR) over a wide range of magnetic field. Such NMR has been analysed in
Publikováno v:
Lithuanian Journal of Physics. 60
We have investigated the resistivity of a 2D hole system in GaAs in the temperature range 200 mK < T < 800 mK at zero magnetic field and low hole densities when the system is near the metal–insulator transition in the insulating side. We have found
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 42:052001
In this paper, we discuss low-temperature hopping-conductivity behavior in the insulating phase, in the absence of a magnetic field. We conduct a theoretical study of the crossover from hopping to activated transport in a GaAs two-dimensional hole sy
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.