Zobrazeno 1 - 10
of 127
pro vyhledávání: '"L. Lartundo Rojas"'
Autor:
L. P. A. Guerrero-Ortega, E. Ramírez-Meneses, I. Betancourt, L. Lartundo-Rojas, R. Mendoza-Cruz, A. M. Torres-Huerta, M. A. Domínguez-Crespo
Publikováno v:
Journal of Inorganic and Organometallic Polymers and Materials. 33:368-382
Autor:
M. Arellano-Cortaza, E. Ramírez-Morales, S.J. Castillo, L. Lartundo-Rojas, I. Zamudio- Torres, E.M. López Alejandro, L. Rojas-Blanco
Publikováno v:
Ceramics International.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. Vázquez-Bautista, E. Ramírez-Meneses, A. Manzo-Robledo, G. Zacahua-Tlacuatl, L. Lartundo-Rojas, J. Acosta-Jara, L.L. Pedraza-Segura, M. Luna-Trujillo
Publikováno v:
Applied Catalysis B: Environmental. 320:121984
Autor:
Y. Piña-Pérez, J.E. Samaniego-Benitez, F. Tzompantzi, L. Lartundo-Rojas, A. Garcia-Garcia, A. Mantilla, G. Romero-Ortiz
Publikováno v:
Materials Letters. 330:133205
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Larysa Khomenkova, Fabrice Gourbilleau, Tetyana Torchynska, L. G. Vega Macotela, L. Lartundo Rojas
Publikováno v:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Springer Verlag, 2020, ⟨10.1007/s10854-020-03010-9⟩
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2020, ⟨10.1007/s10854-020-03010-9⟩
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Springer Verlag, 2020, ⟨10.1007/s10854-020-03010-9⟩
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2020, ⟨10.1007/s10854-020-03010-9⟩
International audience; HfO2 films doped with Nd and Si atoms were produced by RF magnetron sputtering in argon plasma atmosphere. The effect of annealing treatment on the morphology, crystal structure and light emission of the films was investigated
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4b13e4dd9fb5a75dd0c26f341ad442c9
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02474577/document
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02474577/document
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.