Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"L. Kwakman"'
Publikováno v:
International Symposium for Testing and Failure Analysis.
Prior to x-ray tomography, cylindrically-shaped samples are obtained using an innovative milling strategy on a Plasma-FIB. The method presented consists of tuning the ion dose as a function of pixel coordinates along with optimization of the scan geo
Publikováno v:
Applied Surface Science. 253:21-27
X-ray reflectivity (XRR), X-ray fluorescence (XRF) and small angle X-ray scattering (SAXS) techniques are used to the monitoring of Cu/porous low κ processes, which are developed for the next generation (≤65 nm) integrated circuits. Sensitivity of
Autor:
L. Perino-Gallice, I. Mazor, J.‐P. Gonchond, C. Wyon, L. Kwakman, D. Delille, D. Muyard, S. Marthon, A. Michallet, A. Tokar, F. Heider, J.C. Royer
Publikováno v:
Thin Solid Films. 450:84-89
Accurate and reliable in-line monitoring of the different films thickness that occur throughout the integrated circuit manufacturing process is mandatory to develop and produce advanced microelectronic devices. X-ray reflectivity (XRR) is a fundament
Publikováno v:
Microscopy and Microanalysis. 19:862-863
Extended abstract of a paper presented at Microscopy and Microanalysis 2013 in Indianapolis, Indiana, USA, August 4 – August 8, 2013.
Autor:
Richard J. Young, A Klumpp, Chad Rue, Steven Randolph, R. Schampers, Clive D. Chandler, G Franz, L Kwakman
Publikováno v:
Microscopy and Microanalysis. 17:652-653
Extended abstract of a paper presented at Microscopy and Microanalysis 2011 in Nashville, Tennessee, USA, August 7–August 11, 2011.
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
In an industrial environment, new techniques based on the surface photovoltage measurement (SCA and SPV), are shown to detect sodium, aluminum, iron contamination in the range of E + 10/cm2. Variations in the measurements due to wafer samples or oxid
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductor Science & Technology; Nov2015, Vol. 30 Issue 11, p1-1, 1p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.