Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"L. Knoch"'
Autor:
C. Stein, M. Hong, Gordon Tam, Yee-Chaung See, L. Knoch, A. Zlotnicka, E. de Fresart, M. Racanelli, John W. Steele, K. Evans
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 14:450-452
High-performance Si and SiGe epitaxial base bipolar transistors have been fabricated using a commercially available, reduced pressure, epitaxial reactor. The SiGe devices exhibit exceptional Early voltages in the range of 400-500 V, and an f/sub T/ o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d71690ddfe6d27feb274ebe7c747adca
https://doi.org/10.1109/55.244710
https://doi.org/10.1109/55.244710
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.