Zobrazeno 1 - 10
of 104
pro vyhledávání: '"L. Klopotowski"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Joanna Urban, Ning Wang, Michal Baranowski, Gen Long, Paulina Plochocka, L. Klopotowski, Damian Włodarczyk, D. K. Maude, Alessandro Surrente, Yangyuan Wang, Andrzej Suchocki
Publikováno v:
Nanoscale. 9:19298-19303
We investigate the impact of the encapsulation with hexagonal boron nitride (h-BN) on the Raman spectrum of few layer black phosphorus. The encapsulation results in a significant reduction of the line width of the Raman modes of black phosphorus, due
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ddbe98fa7adbe67efeffdde5e7013a90
https://doi.org/10.1039/c7nr05588a
https://doi.org/10.1039/c7nr05588a
Autor:
J M, Urban, M, Baranowski, A, Surrente, D, Wlodarczyk, A, Suchocki, G, Long, Y, Wang, L, Klopotowski, N, Wang, D K, Maude, P, Plochocka
Publikováno v:
Nanoscale. 9(48)
We investigate the impact of encapsulation with hexagonal boron nitride (h-BN) on the Raman spectrum of few layer black phosphorus. The encapsulation results in a significant reduction of the line width of the Raman modes of black phosphorus, due to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::eddeeb18b356500764768e0f2c13ca03
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/29192915
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/29192915
Autor:
Henryk Teisseyre, L. Klopotowski, K. Klosek, M. Sobanska, Zbigniew R. Zytkiewicz, G. Tchutchulashvili
Publikováno v:
Thin Solid Films. 534:107-110
A comprehensive analysis of operating parameters of Addon RF nitrogen plasma source was made in order to determine how a ratio of different active nitrogen species depends on operating parameters of the source such as supplied power and nitrogen flow
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::684e81ba98b628d98ca0fc835368e511
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.02.013
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.02.013
Autor:
Joanna Urban, Duncan K. Maude, Kamil Wiwatowski, Nan Zhang, Sebastian Mackowski, L. Klopotowski, Dumitru Dumcenco, Yen-Cheng Kung, Andras Kis, Michal Baranowski, Paulina Plochocka, Alessandro Surrente
Publikováno v:
Nano Letters
Nano Letters, 2017, ⟨10.1021/acs.nanolett.7b03184⟩
Nano Letters, American Chemical Society, 2017, ⟨10.1021/acs.nanolett.7b03184⟩
Nano Letters, 2017, ⟨10.1021/acs.nanolett.7b03184⟩
Nano Letters, American Chemical Society, 2017, ⟨10.1021/acs.nanolett.7b03184⟩
Stacking atomic monolayers of semiconducting transition metal dichalcogenides (TMDs) has emerged as an effective way to engineer their properties. In principle, the staggered band alignment of TMD heterostructures should result in the formation of in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ef4a4e91d51510ade8848d48a8f39641
