Zobrazeno 1 - 10
of 55
pro vyhledávání: '"L. Kassel"'
Publikováno v:
European Neuropsychopharmacology. 53:S33-S34
Publikováno v:
Das Gesundheitswesen. 79:299-374
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 6:A146-A151
The authors report the results of optical and electrical measurements performed on two pseudomorphic ZnSe/n+GaAs heterojunctions in which the ZnSe was grown by molecular beam epitaxy. One of the ZnSe epilayers was doped as a p-n junction using Li and
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 56:42-44
We have used electrolyte electroreflectance (EER) to characterize ZnSe/GaAs and ZnSe/AlAs interfaces. The great sensitivity of EER to interface space‐charge regions enabled us to detect both interface crossover transitions and transitions to triang
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C L, Kassel
Publikováno v:
Midwifery today and childbirth education. (31)
Publikováno v:
MRS Proceedings. 260
Band profiles specify the position of all band edges as a function of distance from a sample surface or interface. They largely determine the electrical and optoelectronic properties of semiconductor heterostructures. Neither theory nor standard tran