Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"L. Hortemel"'
Autor:
L. Pasini, Perrine Batude, V. Benevent, Maud Vinet, Thomas Signamarcheix, R. Kachtouli, Sébastien Barnola, A. Royer, C. Vizioz, F. Fournel, J.M. Hartmann, G. Romano, N. Allouti, Sebastien Kerdiles, Christophe Morales, A. Seignard, C. Agraffeil, Frederic Boeuf, F. Ponthenier, Vincent Delaye, F. Deprat, M. Jourdan, L. Benaissa, L. Baud, C. Euvrard-Colnat, O. Faynot, Bernard Previtali, C. Guedj, P. Besombes, C. Comboroure, Claire Fenouillet-Beranger, L. Hortemel, Laurent Brunet, Claude Tabone, Nicolas Posseme, Alain Toffoli, C.-M. V. Lu, Christian Arvet, Pascal Besson
Publikováno v:
2016 IEEE Symposium on VLSI Technology.
For the first time, a full 3D CMOS over CMOS CoolCube™ integration is demonstrated with a top level compatible with state of the art high performance FDSOI (Fully-Depleted Silicon On Insulator) process requirements such as High-k/metal gate or rais
Autor:
J.P. Barnes, V. Lapras, P. Acosta Alba, N. Rambal, L. Hortemel, F. Piegas Luce, P. Rivallin, Dominique Lafond, Perrine Batude, Pascal Besson, M.-P. Samson, Sebastien Kerdiles, M. Vinet, B. Mathieu, A. Royer, H. Dansas, R. Kachtouli, M. Casse, Shay Reboh, V. Lu, O. Rozeau, L. Pasini, C.Fenouillet Beranger, Bernard Previtali, Laurent Brunet, F. Aussenac, Benoit Sklenard, F. Deprat
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Autor:
Maud Vinet, Thomas Signamarcheix, V. Lu, Julie Widiez, Fabien Clermidy, A. Royer, J. Mazurier, M.-P. Samson, F. Piegas-Luce, Fabrice Nemouchi, L. Pasini, J.M. Hartmann, M. Casse, F. Deprat, Laurent Brunet, N. Rambal, Maurice Rivoire, Perceval Coudrain, M. Bidaud, Ogun Turkyilmaz, Hossam Sarhan, F. Ponthenier, G. Ghibaudo, C. Euvard-Colnat, Perrine Batude, Louis Hutin, Sebastien Kerdiles, Claude Tabone, Emmanuel Josse, L. Benaissa, E. Petitprez, Remi Beneyton, Claire Fenouillet-Beranger, L. Hortemel, G. Cibrario, Pascal Besson, A. Seignard, B. Mathieu, F. Fournel, C. Bout, C. Agraffeil, S. Sollier, Michel Haond, O. Billoint, P. Leduc, O. Rozeau, Benoit Sklenard, Sebastien Thuries, Bernard Previtali, O. Faynot
Publikováno v:
2015 VLSI-Technology Technical Digest
2015 IEEE Symposium on VLSI Technology
2015 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2015, Kyoto, Japan. pp.T48-T49, ⟨10.1109/VLSIT.2015.7223698⟩
2015 IEEE Symposium on VLSI Technology
2015 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2015, Kyoto, Japan. pp.T48-T49, ⟨10.1109/VLSIT.2015.7223698⟩
session 5: 3D Systems and Packaging; International audience; 3D VLSI with a CoolCube™ integration allows vertically stacking several layers of devices with a unique connecting via density above a million/mm 2 . This results in increased density wit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3c2ded39939fef69ac4246deba1297f1
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02049760
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02049760
Publikováno v:
2011 IEEE International Interconnect Technology Conference.
This paper reports the use of SAM (Self Assembled Monolayer) formation to deposit the copper diffusion barrier into high aspect ratio TSV. SEM, AFM, water contact angle and zeta potential techniques have been used to better understand the surface fun
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.