Zobrazeno 1 - 10
of 136
pro vyhledávání: '"L. Hlou"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. F. Millithaler, Luca Varani, A. Moatadid, J. C. Vaissiere, J. P. Nougier, L. Hlou, Christophe Palermo, Khalid Amechnoue, J. Diyadi
Publikováno v:
Journal of Computational Electronics
Journal of Computational Electronics, Springer Verlag, 2007, 5 (4), pp.261-266. ⟨10.1007/s10825-006-0143-1⟩
Journal of Computational Electronics, Springer Verlag, 2007, 5 (4), pp.261-266. ⟨10.1007/s10825-006-0143-1⟩
International audience; We extend the iterative matrix method for the solution of the Boltzmann transport equation in multi-band semiconductors to the calculation of second order parameters such as correlation functions and the noise temperature. The
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
physica status solidi (b). 232:323-329
We use a full band iterative matrix method to study the high-field transport in n-type GaAs for the first time using three non-parabolic valleys (Γ, L, and X). The new simulation of transient electrons in GaAs shows that, even if there exist carrier
Publikováno v:
Journal of Applied Physics
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2000, 88 (2), pp.838-841. ⟨10.1063/1.373745⟩
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2000, 88 (2), pp.838-841. ⟨10.1063/1.373745⟩
We present a new numerical method to calculate the correlation functions in semiconductor materials by a direct solution of the Boltzmann equation. The correlation function is calculated solving a set of time-dependent Boltzmann equations correspondi
Publikováno v:
International Journal of Modelling and Simulation. 20:329-335
In this paper, a new method for three-dimensional object envelope construction is proposed using the chaining approach. The object is seen by three cameras placed on an orthonormal basis (OXYZ) axes. From these projections, respective contours are ex