Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"L. Guzilova"'
Autor:
A Y Polyakov, V I Nikolaev, A I Pechnikov, P B Lagov, I V Shchemerov, A A Vasilev, A V Chernykh, A I Kochkova, L Guzilova, Yu S Pavlov, T V Kulevoy, A S Doroshkevich, R Sh Isaev, A V Panichkin, S J Pearton
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics. 56:305103
Films of α-Ga2O3 (Sn) grown by halide vapor phase epitaxy on sapphire with donor densities in the range 5 × 1015–8.4 × 1019 cm−3 were irradiated at 25 °C with 1.1 MeV protons to fluences from 1013 to 1016 cm−2. For the lowest doped samples,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c65acbeb51a87567b86f1484cae82dc4
https://doi.org/10.1088/1361-6463/acd06b
https://doi.org/10.1088/1361-6463/acd06b
Autor:
V. I. Nikolaev, A. Y. Polyakov, S. I. Stepanov, A. I. Pechnikov, E. B. Yakimov, A. V. Chernykh, A. A. Vasilev, I. V. Shchemerov, A. I. Kochkova, L. Guzilova, M. P. Konovalov, S. J. Pearton
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science and Technology. 11:115002
Two-inch diameter α-Ga2O3 films with thickness ∼4 μm were grown on basal plane sapphire by Halide Vapor Phase Epitaxy (HVPE) and doped with Sn in the top ∼1 μm from the surface. These films were characterized with High-Resolution X-ray Diffrac
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9b54b8109c5fabbbf0e1121fbcd1293f
https://doi.org/10.1149/2162-8777/ac9edb
https://doi.org/10.1149/2162-8777/ac9edb
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.