Zobrazeno 1 - 10
of 4 001
pro vyhledávání: '"L. Favre"'
Autor:
Touchard, Pierre-Aimé
Publikováno v:
Esprit (1932-1939), 1935 Jan 01. 3(28), 684-684.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/24563944
Autor:
P. Rodríguez-Otero, S. Ailawadhi, B. Arnulf, K. Patel, M. Cavo, A.K. Nooka, S. Manier, N. Callander, L.J. Costa, R. Vij, N.J. Bahlis, P. Moreau, S.R. Solomon, M. Delforge, J. Berdeja, A. Truppel-Hartmann, Z. Yang, L. Favre-Kontula, F. Wu, J. Piasecki, M. Cook, S. Giralt
Publikováno v:
HemaSphere, Vol 7, Iss S2, Pp 7-8 (2023)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/04afd8fd86904849add8111e2ec0c2ab
Publikováno v:
Romania, 1875 Jan 01. 4(15/16), 492-492.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/45042606
Autor:
Arréat, L.
Publikováno v:
Revue Philosophique de la France et de l'Étranger, 1901 Jan 01. 51, 91-94.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/41079927
Autor:
Robert, Ulysse
Publikováno v:
Bibliothèque de l’École des chartes, 1882 Jan 01. 43, 90-91.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/43000275
Autor:
E. Brezza, F. Deprat, C. de Buttet, A. Gauthier, M. Gregoire, D. Guiheux, V. Guyader, M. Juhel, I. Berbezier, E. Assaf, L. Favre, P. Chevalier, C. Gaquière, N. Defrance
Publikováno v:
Solid-State Electronics
Solid-State Electronics, 2023, 204, pp.108654. ⟨10.1016/j.sse.2023.108654⟩
Solid-State Electronics, 2023, 204, pp.108654. ⟨10.1016/j.sse.2023.108654⟩
International audience; A B S T R A C THeterojunction Bipolar Transistors needed for high-frequency applications require precise dopant control. Insitu doped epitaxies used during device fabrication rely on surface preparation to obtain an optimized
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0cfe18456e4b23e3772456d19857235a
https://hal.science/hal-04084450
https://hal.science/hal-04084450
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Journal of Heat and Mass Transfer. 211:124227
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9da3c4d6223c4f3db422366297ae4f21
https://doi.org/10.1016/j.ijheatmasstransfer.2023.124227
https://doi.org/10.1016/j.ijheatmasstransfer.2023.124227
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Beilstein Journal of Nanotechnology, Vol 5, Iss 1, Pp 2498-2504 (2014)
We report on the optical properties of SiGe nanowires (NWs) grown by molecular beam epitaxy (MBE) in ordered arrays on SiO2/Si(111) substrates. The production method employs Au catalysts with self-limited sizes deposited in SiO2-free sites opened-up
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ddbdf08e334740d2876b3b49235a7cd2