Zobrazeno 1 - 10
of 688
pro vyhledávání: '"L. Faraone"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
W. W. Pan, R. J. Gu, Z. K. Zhang, W. Lei, G. A. Umana-Membreno, D. J. Smith, J. Antoszewski, L. Faraone
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 51:4869-4883
Demand for high-performance HgCdTe infrared detectors with larger array size and lower cost has fuelled the heteroepitaxial growth of HgCdTe on CdTe buffer layers on lattice-mismatched alternative substrates such as Si, Ge, GaAs and GaSb. However, th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::627162ccb784081c630ab341c0dc0dfe
https://doi.org/10.1007/s11664-022-09725-1
https://doi.org/10.1007/s11664-022-09725-1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 48:6063-6068
In this work, we present a study on the temperature-dependent infrared absorption spectra of Hg1−xCdxSe grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaSb (211) substrate, having a nominal x-value of 0.21. For temperatures below 200 K, the observed opti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7a30b0f97f5551fa1309af0bbd40ffce
https://doi.org/10.1007/s11664-019-07362-9
https://doi.org/10.1007/s11664-019-07362-9
Publikováno v:
Infrared Physics & Technology. 97:365-370
This work presents a Raman spectroscopy study of Hg1−xCdxSe alloys grown on GaSb (2 1 1) substrates by molecular beam epitaxy. For the Raman spectra of Hg1−xCdxSe (0 ≤ x ≤ 0.6) measured with low laser excitation intensity, no sample damage is
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0809d05b84ce60b4655f9e2382fbf28e
https://doi.org/10.1016/j.infrared.2019.01.022
https://doi.org/10.1016/j.infrared.2019.01.022
Publikováno v:
Materials & Design, Vol 156, Iss, Pp 389-397 (2018)
Si1-xGex (0≤x≤1) thin films were deposited by means of biased target ion beam sputtering at a low substrate temperature near 100 °C inside a vacuum chamber. The as-deposited films were all found to be amorphous and to be compressively stressed,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4d6d4fcef2ef16f28256bb88b5fff319
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0264127518305148
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0264127518305148
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.