Zobrazeno 1 - 10
of 137
pro vyhledávání: '"L. Douillard"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Surface Science. 166:220-223
We use atom-resolved scanning tunneling microscopy (STM) to investigate in the real space, the effects of slight contamination on the β-SiC(100) surface structure. We find that a 2×1 surface ordering is induced by background surface contamination o
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Surface Science. 401:L395-L400
We investigate the transition between β -SiC(100) surface reconstructions using scanning tunneling microscopy (filled and empty electronic states). We find the unexpected formation of Si-dimer lines that are self-assembled by pairs with a long-range
Publikováno v:
Surface Review and Letters. :213-217
We investigate the single domain β-SiC(100)-(2 × 1) surface reconstruction by core level and valence band photoemission spectroscopies using synchrotron radiation. Specific spectral features at the Si 2p and C 1s core levels including bulk and surf
Autor:
Andrew J. Mayne, L. Di Cioccio, L. Douillard, F. Semond, C. Jaussaud, Patrick Soukiassian, Gérald Dujardin
Publikováno v:
Surface Review and Letters. :207-211
We investigate single domain β-SiC(100) thin film surfaces epitaxially grown on a vicinal (4°) Si(100) surface by atom-resolved (filled and empty states) scanning tunneling microscopy (STM). Contrary to previous beliefs, we observe high quality sur
Autor:
J. P. Duraud, L. Douillard
Publikováno v:
Journal de Physique III. 6:1677-1687
Nous avons etudie les modifications de proprietes et de structures de monocristaux de quartz α, consecutives a une irradiation severe par des neutrons, des ions, des electrons ou des photons. Ce phenomene d'alteration du quartz sous irradiation port