Zobrazeno 1 - 10
of 235
pro vyhledávání: '"L. Di Benedetto"'
Autor:
E. Bernardi, A. Catinari, O. M. Ferrara, G. Bartolucci, M. Ciliberto, G. Carriero, L. Di Benedetto, E. M. Marzo, G. Donofrio, S. Ruggiero, G. Sani, A. Simonetti
Publikováno v:
European Psychiatry, Vol 66, Pp S360-S361 (2023)
Introduction Mixed depression (MxD), is a nosologic entity characterized by the presence of excitatory symptoms during a depressive episode. MxD embeds high levels of chronicity, functional impairment and suicidality. The assessment of MxD in a subpo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b8237c92922947d7864cd65bb93931d3
Publikováno v:
IEEE Transactions on Industrial Informatics. 18:5330-5337
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
An analytical model, able to describe the temperature dependence of the electrical characteristics of an organic thin film transistor (OTFT), is derived from the multiple trapping and release (MTR) theory related to an exponential distribution of tai
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::02cfc7bbb03e8d4c22ed8924ee9d7d50
http://hdl.handle.net/11386/4777564
http://hdl.handle.net/11386/4777564
In this article, we report the experimental results of a visible-light-blind 4H-polytype silicon carbide phototransistor able to detect ultraviolet (UV) radiations for wavelengths lower than 380 nm with a significative improvement in the optical gain
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e6962eb851437d9f5b93e78cc6724bdf
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/260751
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/260751
Publikováno v:
Lecture Notes in Electrical Engineering ISBN: 9783030375577
In this paper we report the dependency of the potential barrier height in 4H-SiC Junction Barrier Schottky diodes on the channel width and on the junction temperature. The model takes onto account geometrical parameters of the device and physical par
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::12b65e45b20dc0f044c90e83dfc82a34
http://hdl.handle.net/11386/4735948
http://hdl.handle.net/11386/4735948
Publikováno v:
Materials Chemistry and Physics. 278:125671
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.