Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"L. Chapoux"'
Autor:
P. Savary, G. Montoriol, F. Clayton, B. Thibaud, V. Esnault, E. Yu, M. Tutt, A. Mitra, D. Hill, A. Girardot, R. Uscola, A. Reyes, K. Rajagopalan, L. Cornibert, H. Henry, C. Rampley, M. Majerus, F. Dupis, Mariam G. Sadaka, S. Klingbeil, O. Izumi, L. Chapoux, R. Jaoui
Publikováno v:
GaAs IC Symposium. IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium. 23rd Annual Technical Digest 2001 (Cat. No.01CH37191).
A heterojunction bipolar transistor (HBT) technology utilizing InGaP/GaAs and carbon-doped base has been established in Motorola's high-volume 6" GaAs facility. The technology has been used to develop an integrated dual band (824-849 MHz and 1850-191
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0c61013b6e1f774edb45fff3762a853a
https://doi.org/10.1109/gaas.2001.964349
https://doi.org/10.1109/gaas.2001.964349
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.