Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"L. Boussouar"'
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 88:969-975
Using current-voltage measurements, we have investigated the electrical behavior of molybdenum on 4H-SiC Schottky diodes of various areas and having different edge terminations consisting of high resistivity guard rings manufactured by carbon ion-imp
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 86:303-309
The Gaussian distribution model have been used to analyze the anomalies observed in tungsten (W)/4H-SiC current voltage characteristics due to the barrier inhomogeneities that prevail at the metal-semiconductor interface. From the analysis of the for
Publikováno v:
Semiconductor Science & Technology
Semiconductor Science & Technology, 2007, 22 (4), pp.369. ⟨10.1088/0268-1242/22/4/012⟩
Semiconductor Science & Technology, 2007, 22 (4), pp.369. ⟨10.1088/0268-1242/22/4/012⟩
The differences in the calculated apparent Schottky barrier heights as obtained from different approaches assuming a Gaussian distribution model of barrier potential are discussed. A modified theoretical expression for the saturation current and cons
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ae68ed14b0cc93e3be4f8762a3abd794
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00391936
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00391936
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.