Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"L. Bouguen"'
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B
Materials Science and Engineering: B, Elsevier, 2009, 165 (1-2), pp.1-4. ⟨10.1016/j.mseb.2008.11.041⟩
HAL
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
9th International Workshop on Expert Evaluation and Control Compound Semiconductor Materials and Technologies
9th International Workshop on Expert Evaluation and Control Compound Semiconductor Materials and Technologies, Jun 2008, Lodz (POLAND), France. pp.1-4
Materials Science and Engineering: B, Elsevier, 2009, 165 (1-2), pp.1-4. ⟨10.1016/j.mseb.2008.11.041⟩
HAL
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
9th International Workshop on Expert Evaluation and Control Compound Semiconductor Materials and Technologies
9th International Workshop on Expert Evaluation and Control Compound Semiconductor Materials and Technologies, Jun 2008, Lodz (POLAND), France. pp.1-4
9th International Workshop on Expert Evaluation and Control Compound Semiconductor Materials and Technologies, Univ Lodz, Lodz, POLAND, JUN 01-06, 2008; We present a detailed investigation of the different factors that rule the temperature dependence
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::66c457f2a37fbfa8ef6564758d41f4ab
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03037527
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03037527
Autor:
L. Bouguen, Benoit Jouault, Jean Camassel, Sylvie Contreras, M. Azize, N. Baron, Leszek Konczewicz, Sébastien Chenot, Yvon Cordier
Publikováno v:
Applied Physics Letters
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2008, 92, pp.043504. ⟨10.1063/1.2838301⟩
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2008, 92, pp.043504. ⟨10.1063/1.2838301⟩
We report a comparative investigation of the magnetic response of long channel AlGaN/AlN/GaN heterostructures (Hall-field effect transistor devices) grown on three different semi-insulating templates on silicon and sapphire. From Hall effect measurem
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::663a29abd0dfa88a83f25c9c17cf0c40
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00535633
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00535633
Publikováno v:
Journal of Applied Physics
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2008, 104 (5), pp.053705. ⟨10.1063/1.2968436⟩
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2008, 104 (5), pp.053705. ⟨10.1063/1.2968436⟩
International audience; Using finite element analysis, we have calculated the Hall voltage of gated Hall sensors in the temperature range (−55 °C, 125 °C). We investigated how both the sensor shape and the external connections influence the Hall
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2b38d08b596b2b10ed200915d5c2afa0
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00388502/document
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00388502/document
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.