Zobrazeno 1 - 10
of 55
pro vyhledávání: '"L. Allers"'
Publikováno v:
APL Materials, Vol 9, Iss 4, Pp 041108-041108-11 (2021)
Nb-doped lead zirconate titanate (PZT) films with up to 12 at. % of Nb were co-sputtered from oxide PZT and metallic Nb targets at a substrate temperature of 600 °C. Up to 4 at. % of Nb was doped into the perovskite structure with the formation of B
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/79f29aceb6494efc8f8f0873a6b86bd8
Publikováno v:
APL Materials, Vol 9, Iss 4, Pp 041108-041108-11 (2021)
Nb-doped lead zirconate titanate (PZT) films with up to 12 at. % of Nb were co-sputtered from oxide PZT and metallic Nb targets at a substrate temperature of 600 °C. Up to 4 at. % of Nb was doped into the perovskite structure with the formation of B
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::74bf5ffd993cde93b39435c603ec9baa
http://hdl.handle.net/10044/1/88946
http://hdl.handle.net/10044/1/88946
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rachel A. Oliver, M G Martin, Martin R. Castell, L. Allers, Christiane Norenberg, G. A. D. Briggs
We have investigated the growth of thin layers of indium nitride (InN) on gallium nitride (GaN) by molecular beam epitaxy (MBE) using two different nitrogen sources. Using thermally cracked ammonia as the nitrogen source, we explored the effect of th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::018fe0eb9939d8272ada569ed8532167
https://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:17695569-766f-47ac-a674-799737dcb816
https://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:17695569-766f-47ac-a674-799737dcb816
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
physica status solidi (a). 194:536-540
The growth of self-assembled InN nanostructures on GaN by MBE has been studied using two different nitrogen sources. Stranski-Krastanov growth may be achieved but is highly sensitive to the V: III ratio as well as coverage and temperature. The size a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5718133af2ff989033693db6d976c7c3
https://doi.org/10.1002/1521-396x(200212)194:2<536::aid-pssa536>3.0.co
https://doi.org/10.1002/1521-396x(200212)194:2<536::aid-pssa536>3.0.co
Autor:
L. Allers, A. T. Collins
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 77:3879-3884
The photoconductivity of diamonds grown by chemical vapor deposition has been studied in the near infrared and visible spectral regions. The dominant photoconductive response has a threshold at approximately 1.5 eV. There is additional sharp structur
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::78ffdd3a4a635885002bec343d6688e1
https://doi.org/10.1063/1.358566
https://doi.org/10.1063/1.358566