Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"L van Leuken"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control. 56:425-428
This paper shows for the first time integrated thin film ferroelectric metal-insulator-metal capacitors on silicon with a record high capacitance density above 100 nF/mm(2) combined with a breakdown voltage of 90 V and a lifetime exceeding 10 years a
Autor:
Olaf Wunnicke, Willem Frederik Adrianus Besling, R.A.M. Wolters, L. van Leuken-Peters, J.T.M. van Beek, M. A. A. in 't Zandt, Martijn Goossens, H. Kwinten, Peter G. Steeneken, K. Reimann, Hilco Suy, V. Aravindh
Publikováno v:
2011 IEEE 24th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems.
We report on small, low-ohmic RF MEMS switches with a circular membrane actuator design. A low temperature process is used to manufacture both the MEMS switch as well as its hermetic, thin-film package resulting in a very small footprint device. The
Autor:
Olaf Wunnicke, B. Kumar, M.P.J. Tiggelman, Wilhelmus Cornelis Keur, M. Klee, Ruediger Mauczok, Jin Liu, K. Reimann, J. Zhao, K. Neumann, M. de Wild, H. Van Esch, Christina Adriana Renders, A. Roest, L. Van Leuken-Peters
Publikováno v:
IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics and frequency control, 56(8):10.1109/TUFFC.2009.1213, 1505-1512. IEEE
Thin-film ferroelectric capacitors have been integrated with resistors and active functions such as ESD protection into small, miniaturized modules, which enable a board space saving of up to 80%. With the optimum materials and processes, integrated
Autor:
M. Klee, K. Reimann, Ruediger Mauczok, Wilhelmus Cornelis Keur, L. van Leuken-Peters, A. Roest
Publikováno v:
2008 17th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics.
Capacitors, with a capacitance density of up to 100 nF/mm2 and a dielectric constant of 950?1600 were produced by optimizing the ferroelectric material combined with stacking. Accelerated lifetime (ALT) tests under elevated temperatures of 210?290°C
Autor:
Michał Mleczko, Martin P. Mienkina, M. Klee, J. Zhao, Olaf Wunnicke, M.P.J. Tiggelman, L van Leuken, H. Van Esch, M. de Wild, Wilhelmus Cornelis Keur, Henri M. J. Boots, K. Reimann, C. van Heesch, Georg Schmitz, B. Kumar, Ruediger Mauczok, A. Roest
Publikováno v:
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 8:012008
Ferroelectric and piezoelectric thin films are gaining more and more importance for the integration of high performance devices in small modules. High-K 'Integrated Discretes' devices have been developed, which are based on thin film ferroelectric ca
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.