Zobrazeno 1 - 10
of 107
pro vyhledávání: '"L W Yu"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of the Canadian Association of Gastroenterology. 6:37-37
Background A subset of hospitalized patients will require critical care after their gastrointestinal endoscopy (GIE) and predicting which patients are at high risk of requiring critical care remains an important challenge. Purpose To identify protect
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
First Demonstration of CMOS Inverter and 6T-SRAM Based on GAA CFETs Structure for 3D-IC Applications
Autor:
C.-J. Wang, W. H. Lee, W.-F. Wu, L. W Yu, Wen-Kuan Yeh, Yao-Ming Huang, Guo-Wei Huang, T-Y. Chu, M. K. Huang, Jia-Min Shieh, Y.-J. Huang, J.-Y. Wang, W. C.-Y. Ma, Seiji Samukawa, Yao-Jen Lee, C.-J. Su, N.-C. Lin, Tien-Sheng Chao, Cailu Lin, Yiming Li, S.-H. Lo, Po-Jung Sung, H.-F. Huang, Darsen D. Lu, S.-T. Huang, H.-C. Wang, Yeong-Her Wang, Ricky W. Chuang, Fu-Kuo Hsueh, Chien-Ting Wu, J.-H. Li, Y. F. Huang, Jiun-Yun Li, Kuo-Hsing Kao, Sun-Yran Chang, K.-P. Huang
Publikováno v:
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
For the first time, CMOS inverters and 6T-SRAM cells based on vertically stacked gate-all-around complementary FETs (CFETs) are experimentally demonstrated. Manufacturing difficulties of vertically stacked source and drain electrodes of the CFETs hav
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.