Zobrazeno 1 - 10
of 42
pro vyhledávání: '"L Michez"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physical Review B. 105
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b7de95e2c3f6aeb281ae5c7ab693f4f2
https://doi.org/10.1103/physrevb.105.094405
https://doi.org/10.1103/physrevb.105.094405
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Bulletin of Materials Science
Bulletin of Materials Science, 2020, 43 (1), pp.103. ⟨10.1007/s12034-020-2082-z⟩
Bulletin of Materials Science, 2020, 43 (1), pp.103. ⟨10.1007/s12034-020-2082-z⟩
We have investigated the structural and magnetic properties of $$\hbox {Ge}_{0.94}\hbox {Mn}_{0.06-\delta }\hbox {C}_{\delta }$$ films $$(\delta = 0.005, 0.01\ \hbox {and} 0.02)$$ using reflexion high-energy electron diffraction (RHEED) technique, tr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4e51b9c7187cdf22ad8e2379a563a6e9
https://hal.science/hal-04063667/document
https://hal.science/hal-04063667/document
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing
Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2013, 16 (6), pp.2084-2090
Materials Science in Semiconductor Processing, 2013, 16 (6), pp.2084-2090
Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2013, 16 (6), pp.2084-2090
Materials Science in Semiconductor Processing, 2013, 16 (6), pp.2084-2090
Bismuth sulfide (Bi2S3) nanocrystalline thin films exhibit a low band gap, a high absorbance coefficient and good dispersity. In this study, the structural, optical and electrical properties of Bi2S3 nanocrystalline thin films prepared from bismuth c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ffb00bb21f68679dd12b7e2d7a62f828
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2013.04.004
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2013.04.004
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.