Zobrazeno 1 - 10 of 45 pro vyhledávání: '"L Megherbi"'
3
Akademický článek
Time-Lapse Traces of Transformation of CdTe Nanoparticles into Nanowires via Self-Assembly.
Autor: Kang, Jeong Won, Jo, Insol, Kim, Yeungchan, Kim, Hyoungbum, Kim, Ki-Sub
Publikováno v: Korean Journal of Chemical Engineering; Nov2024, Vol. 41 Issue 12, p3245-3249, 5p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Numerical simulations of the electrical transport characteristics of a Pt/n-GaN Schottky diode.
Autor: Fayçal Bouzid, Fortunato Pezzimenti, Lakhdar Dehimi, Mohamed L. Megherbi, Francesco G. Della Corte
Publikováno v: Japanese Journal of Applied Physics; Sep2017, Vol. 56 Issue 9, p1-1, 1p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Very High In‐Plane Magnetic Field Sensitivity in Ion‐Implanted 4H‐SiC PIN Diodes.
Autor: Okeil, Hesham, Erlbacher, Tobias, Wachutka, Gerhard
Publikováno v: Advanced Electronic Materials; May2024, Vol. 10 Issue 5, p1-15, 15p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Exploring High-Temperature Reliability of 4H-SiC MOSFETs: A Comparative Study of High-K Gate Dielectric Materials.
Autor: Ganeswara Rao, M. V., Ramanjaneyulu, N., Madugula, Sumalatha, Dharani, N. P., Rajesh Babu, K., Sagar, Kallepelli
Publikováno v: Transactions on Electrical & Electronic Materials; Apr2024, Vol. 25 Issue 2, p194-200, 7p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Design considerations on 4H-SiC-based p–n junction betavoltaic cells.
Autor: Bouzid, F.1 (AUTHOR) f.bouzid@crti.dz, Saeed, M. A.2 (AUTHOR), Carotenuto, R.3 (AUTHOR), Pezzimenti, F.3 (AUTHOR)
Publikováno v: Applied Physics A: Materials Science & Processing. Mar2022, Vol. 128 Issue 3, p1-11. 11p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Analysis of 4H-SiC MOSFET with distinct high-k/4H-SiC interfaces under high temperature and carrier-trapping conditions.
Autor: Bencherif, H.1 (AUTHOR) hichem.bencherif@univ-batna2.dz, Pezzimenti, F.2 (AUTHOR), Dehimi, L.3,4 (AUTHOR), Della Corte, F. G.2 (AUTHOR)
Publikováno v: Applied Physics A: Materials Science & Processing. Nov2020, Vol. 126 Issue 11, p1-5. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Modeling the effect of mechanical stress on bipolar degradation in 4H-SiC power devices.
Autor: Sakakima, Hiroki, Goryu, Akihiro, Kano, Akira, Hatano, Asuka, Hirohata, Kenji, Izumi, Satoshi
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/14/2020, Vol. 128 Issue 2, p1-17, 17p, 13 Diagrams, 5 Charts, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Impurities and defects in 4H silicon carbide.
Autor: Wang, Rong, Huang, Yuanchao, Yang, Deren, Pi, Xiaodong
Publikováno v: Applied Physics Letters; 5/1/2023, Vol. 122 Issue 18, p1-9, 9p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje