Zobrazeno 1 - 10
of 282
pro vyhledávání: '"L Delage"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Giuseppe Bellomonte, Bienvenu Atawa, Anatoli Serghei, Nicolas Michel, Nicolas Delpucch, Mourad Oualli, Quentin Levesque, Jean-Claude Jacquet, Stephane Piotrowicz, Emilie Molina, Hermann Sticglaucr, Benoit Lambert, Christian Brylinski, Sylvain L. Delage
Publikováno v:
2022 14th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3819675968c62252f434f9c5fd95513d
https://doi.org/10.1109/asdam55965.2022.9966796
https://doi.org/10.1109/asdam55965.2022.9966796
Autor:
Sylvain L. Delage, Nicolas Michel, Jean-Claude Jacquet, M. Shakerzadeh, E. H. T. Teo, Erhard Kohn
Publikováno v:
2022 24th International Microwave and Radar Conference (MIKON).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e6f454808a7bc74f96dced6b269a1397
https://doi.org/10.23919/mikon54314.2022.9924627
https://doi.org/10.23919/mikon54314.2022.9924627
Autor:
Charles Pitaval, Cédric Lacam, Nicolas Defrance, Christophe Gaquière, Nicolas Michel, Olivier Parillaud, Sylvain L. Delage
Publikováno v:
physica status solidi (a). :2200476
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c5eab88edcee319dc42a445fd5ba751c
https://doi.org/10.1002/pssa.202200476
https://doi.org/10.1002/pssa.202200476
Autor:
M.C. Stolzenberg, A. Ouedrani, Delphine Planas, Soledad Henriquez, Timothée Bruel, L. Delage, L. Chatenoud, Benjamin Terrier, Olivier Schwartz, Frédéric Rieux-Laucat, Isabelle Staropoli, S. Buffier, Caroline Morbieu, Y. Nguyen, Jérôme Hadjadj, L. Mouthon
Publikováno v:
La Revue De Medecine Interne
Introduction L’emergence de nouvelles souches du SARS-CoV-2, telles que le variant Delta, presentant une replication virale augmentee et la capacite d’echapper a la reponse immune souleve des inquietudes chez les patients immunodeprimes. Cette et
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f8bf82f39ff037b411aedc5898b36e75
http://europepmc.org/articles/PMC8610716
http://europepmc.org/articles/PMC8610716
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology
We propose a novel model approach for temperature evaluation in the channel region of a InAlN/AlN/gallium nitride high electron mobility transistor (HEMT) due to self-heating effects. The heat transfer in a HEMT device has been investigated experimen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8025f67f0e546ac3f4baf1e676a4cc6a
https://doi.org/10.1088/1361-6641/abd15a
https://doi.org/10.1088/1361-6641/abd15a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.