Zobrazeno 1 - 10 of 2 573 pro vyhledávání: '"L, Gate"'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
A Novel L-Gate InGaAs/GaAsSb TFET with Improved Performance and Suppressed Ambipolar Effect
Autor: Boyang Ma, Shupeng Chen, Shulong Wang, Tao Han, Hao Zhang, Chenyu Yin, Yaolin Chen, Hongxia Liu
Publikováno v: Micromachines, Vol 13, Iss 9, p 1474 (2022)
A heterojunction tunneling field effect transistor with an L-shaped gate (HJ-LTFET), which is very applicable to operate at low voltage, is proposed and studied by TCAD tools in this paper. InGaAs/GaAsSb heterojunction is applied in HJ-LTFET to enhan
Externí odkaz: https://doaj.org/article/9cc996c9a61340ba98ec6e1219c96fb9
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Improved L-gate 4H-SiC MESFETs with partial p-type spacer
Autor: Jia, Hujun, Yang, Yintang, Zhang, Hu
Publikováno v: In Materials Science in Semiconductor Processing April 2013 16(2):352-355
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
A novel 4H-SiC MESFET with a L-gate and a partial p-type spacer
Autor: Jia, Hujun, Zhang, Hu, Yang, Yintang
Publikováno v: In Materials Science in Semiconductor Processing February 2012 15(1):2-5
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje