Zobrazeno 1 - 10
of 419
pro vyhledávání: '"L, Favennec"'
Autor:
A. Redaelli, A. Gandolfo, G. Samanni, E. Gomiero, E. Petroni, L. Scotti, A. Lippiello, P. Mattavelli, J. Jasse, D. Codegoni, A. Serafini, R. Ranica, C. Boccaccio, J. Sandrini, R. Berthelon, J.-C. Grenier, O. Weber, D. Turgis, A. Valery, S. Del Medico, V. Caubet, J.-P. Reynard, D. Dutartre, L. Favennec, A. Conte, F. Disegni, M. De Tomasi, A. Ventre, M. Baldo, D. Ielmini, A. Maurelli, P. Ferreira, F. Arnaud, F. Piazza, P. Cappelletti, R. Annunziata, R. Gonella
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 563-568 (2022)
The effect of back-end of line (BEOL) process on cell performance and reliability of Phase-Change Memory embedded in a 28nm FD-SOI platform (ePCM) is discussed. The microscopic evolution of the Ge-rich GST alloy during process is the focus of the fir
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c2fbeb39b1c14d23a0f92983e7149df3
Autor:
M. Martinot, A. Abou-Bacar, M. Lamothe, M. Alt Tebacher, M. Mohseni Zadeh, F. Dalle, L. Favennec, D. Costa, J. Brunet, F. Sellal
Publikováno v:
BMC Infectious Diseases, Vol 20, Iss 1, Pp 1-4 (2020)
Abstract Background Cryptosporidium sp. are common intracellular parasites responsible of severe diarrhea in T-cell-immunocompromised patients. We report the first case of a woman who contracted cryptosporidiosis after treatment with fingolimod, a dr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/480215027f8445d69c483b056c2d1424
Autor:
E. Gomiero, G. Samanni, J. Jasse, C. Jahan, O. Weber, R. Berthelon, R. Ranica, L. Favennec, V. Caubet, D. Ristoiu, J. P. Reynard, L. Clement, P. Zuliani, R. Annunziata, F. Arnaud
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 517-521 (2019)
Quenching-time characterization is the way to measure the speed of chalcogenide material to transform from the amorphous (RESET) state to the crystalline (SET) one after application of a proper programming pulse. It is here proposed to study the impa
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d32a756f1cf8471fafe70bc493d62c3c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
R. Ranica, R. Berthelon, A. Gandolfo, G. Samanni, E. Gomiero, J. Jasse, P. Mattavelli, J. Sandrini, M. Querre, Y. Le-Friec, J. Poulet, V. Caubet, L. Favennec, C. Boccaccio, G. Ghezzi, C. Gallon, JC. Grenier, B. Dumont, O. Weber, A. Villaret, R. Beneyton, N. Cherault, D. Ristoiu, S. Del Medico, O. Kermarrec, JP. Reynard, P. Boivin, A. Souhaite, L. Desvoivres, S. Chouteau, PO. Sassoulas, L. Clement, A. Valery, E. Petroni, D. Turgis, A. Lippiello, L. Scotti, F. Disegni, A. Ventre, D. Ornaghi, M. De Tomasi, A. Maurelli, A. Conte, F. Arnaud, A. Redaelli, R. Annunziata, P. Cappelletti, F. Piazza, P. Ferreira, R. Gonella, E. Ciantar
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::652fcb15ec770ffda0355c498b7b0e9e
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720669
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720669
Autor:
Roberto Annunziata, O. Weber, J. Jasse, Paola Zuliani, V. Caubet, Franck Arnaud, G. Samanni, Enrico Gomiero, L. Favennec, R. Berthelon, D. Ristoiu, C. Jahan, L. Clement, J. P. Reynard, R. Ranica
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 517-521 (2019)
Quenching-time characterization is the way to measure the speed of chalcogenide material to transform from the amorphous (RESET) state to the crystalline (SET) one after application of a proper programming pulse. It is here proposed to study the impa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::930b1b015adb15c3586cc459f3581efb
https://doi.org/10.1109/jeds.2019.2913467
https://doi.org/10.1109/jeds.2019.2913467
High Density Embedded PCM Cell in 28nm FDSOI Technology for Automotive Micro-Controller Applications
Autor:
Roberto Annunziata, L. Favennec, F. Disegni, D. Turgis, Jean-Luc Ogier, Remi Beneyton, Xavier Federspiel, N. Cherault, Fausto Piazza, A. Gandolfo, M. Molgg, E. Ciantar, Enrico Gomiero, P.O. Sassoulas, J. P. Reynard, B. Dumont, S. Delmedico, Alexandre Villaret, Olivier Weber, A. Viscuso, Franck Arnaud, L. Clement, L. Desvoivres, Paulo Ferreira, Paolo Mattavelli, C. Gallon, R. Ranica, O. Kermarrec, J. Jasse, S. Chouteau, C. Jahan, C. Boccaccio, Paolo Cappelletti, A. Souhaite, G. Samanni, Paola Zuliani, R. Berthelon, V. Caubet, Philippe Boivin, D. Ristoiu, Alfonso Maurelli, J. C. Grenier
Publikováno v:
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
in this paper we present an enhancement of our 28nm FDSOI-PCM solution using Bipolar Junction Transistor (BJT) selector co-integrated with triple gate oxide devices scheme (logic/1,8V/5V) for advanced automotive microcontroller designs. Leveraging FD
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cb9d7d45a06fe3730a77e9eea337f87a
https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9371934
https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9371934