Zobrazeno 1 - 10
of 59
pro vyhledávání: '"Kuznetsov, Yu. M."'
Autor:
Kudrin, A. V., Lesnikov, V. P., Danilov, Yu. A., Dorokhin, M. V., Vikhrova, O. V., Demina, P. B., Pavlov, D. A., Usov, Yu. V., Milin, V. E., Kuznetsov, Yu. M., Kriukov, R. N., Konakov, A. A., Tabachkova, N. Yu.
The layers of a high-temperature novel GaAs:Fe diluted magnetic semiconductor (DMS) with an average Fe content up to 20 at. % were grown on (001) i-GaAs substrates using a pulsed laser deposition in a vacuum. The transmission electron microscopy (TEM
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1911.00327
Autor:
Kudrin, A. V., Lesnikov, V. P., Danilov, Yu. A., Dorokhin, M. V., Vikhrova, O. V., Antonov, I. N., Kriukov, R. N., Zubkov, S. Yu., Nikolichev, D. E., Konakov, A. A., Dudin, Yu. A., Kuznetsov, Yu. M., Sobolev, N. A., Temiryazeva, M. P.
The influence of He+ ion irradiation on the transport and magnetic properties of epitaxial layers of a diluted magnetic semiconductor (DMS) (In,Fe)Sb, a two-phase (In,Fe)Sb composite and a nominally undoped InSb semiconductor has been investigated. I
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1902.03465
Autor:
Dorokhin, M. V., Kuznetsov, Yu. M., Lesnikov, V. P., Kudrin, A. V., Erofeeva, I. V., Boryakov, A. V., Kryukov, R. N., Nikolitchev, D. E., Zubkov, S. Yu., Trushin, V. N., Demina, P. B.
Manganese silicide (MnxSiy) thin films with Mn content (CMn) varied from 24 at. % to 52 at. % were grown on i-GaAs (100) substrates. Chemical, phase composition and room temperature magnetic properties of the films were investigated. It was demonstra
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1805.02904
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dorokhin, M. V., Kuznetsov, Yu. M., Demina, P. B., Erofeeva, I. V., Zdoroveyshchev, A. V., Ved', M. V., Zdoroveyshchev, D. A., Zavrazhnov, A. Yu., Nekrylov, I. N., Peshcherova, S. M., Presnyakov, R. V., Sakharov, N. V.
Publikováno v:
Inorganic Materials: Applied Research; Apr2024, Vol. 15 Issue 2, p289-295, 7p
Autor:
Dorokhin, M. V., Boldin, M. S., Uskova, E. A., Boryakov, A. V., Demina, P. B., Erofeeva, I. V., Zdoroveyshchev, A. V., Kotomina, V. E., Kuznetsov, Yu. M., Lantsev, E. A., Popov, A. A., Trushin, V. N.
Publikováno v:
Technical Physics; 2024, Vol. 69 Issue 3, p517-525, 9p
Autor:
Kuznetsov, Yu. M.1,2 (AUTHOR) yurakz94@list.ru, Dorokhin, M. V.2 (AUTHOR), Nezhdanov, A. V.1 (AUTHOR), Zdoroveyshchev, D. A.1,2 (AUTHOR), Lesnikov, V. P.2 (AUTHOR), Mashin, A. I.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Sep2021, Vol. 55 Issue 9, p749-754. 6p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.