Zobrazeno 1 - 10
of 83
pro vyhledávání: '"Kuzmenkov, A.G."'
Autor:
Rakhlin, M.V., Galimov, A.I., Dyakonov, I.V., Skryabin, N.N., Klimko, G.V., Kulagina, M.M., Zadiranov, Yu.M., Sorokin, S.V., Sedova, I.V., Guseva, Yu.A., Berezina, D.S., Serov, Yu.M., Maleev, N.A., Kuzmenkov, A.G., Troshkov, S.I., Taratorin, K.V., Skalkin, A.K., Straupe, S.S., Kulik, S.P., Shubina, T.V., Toropov, A.A.
Publikováno v:
In Journal of Luminescence January 2023 253
Autor:
null Ustinov V. M., null Egorov A. Yu., null Voropaev K. O., null Denisov D. V., null Gladyshev A. G., null Karachinsky L. Ya., null Novikov I. I., null Babichev A. V., null Rochas S. S., null Vasyl’ev A.P., null Kuzmenkov A.G., null Maleev N.A., null Blokhin A.A., null Bobrov M. A., null Blokhin S.A.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:46
The impact of transverse optical confinement on the static and spectral characteristics of 1.55 μm vertical-cavity surface-emitting lasers (WF-VCSEL) with a buried tunnel junction (BTJ) n++-InGaAs/p++-InGaAs/p++-InAlGaAs, implemented using molecular
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a03323b4b157e6fefbd62ac2cd056f8c
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.14.55117.18942
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.14.55117.18942
Autor:
null Mukhin I.S., null Kuzmenkov A.G., null Blokhin S.A., null Moiseev E.I., null Fedorov V.V., null Sapunov G.A., null Mozharov A.M., null Shugurov K.Yu.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:18
A series of Schottky diodes based on single GaN nanowires has been fabricated. Based on the data of small-signal frequency analysis (parameter S21) of diode structures at various bias voltages, the parameters of the corresponding equivalent electrica
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7ea028b9cb0e75bb972388a44234e89d
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.08.55053.19229
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.08.55053.19229
Autor:
null Bougrov V.E., null Egorov А. Yu., null Ustinov V. M., null Zhumaeva I.O., null Voropaev K. O., null Denisov D. V., null Rochas S. S., null Andryushkin V.V., null Nevedomskiy V. N., null Nadtochiy A.M., null Kuzmenkov A.G., null Maleev N.A., null Bobrov M. A., null Blokhin A.A., null Novikov I. I., null Karachinsky L. Ya., null Gladyshev A. G., null Babichev A. V., null Blokhin S.A.
Publikováno v:
Technical Physics. 67:2432
X-ray structural analysis and photoluminescence spectroscopy techniques were used to study heterostructures based on InGaAs/InAlGaAs superlattice for active regions of 1300 nm range lasers grown by molecular beam epitaxy. It is shown that the grown h
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eebbe308a3c14b456c801bbaa4ac917a
https://doi.org/10.21883/tp.2022.15.55271.240-21
https://doi.org/10.21883/tp.2022.15.55271.240-21
Autor:
null Ustinov V. M., null Egorov А. Yu., null Voropaev K. O., null Denisov D. V., null Gladyshev A. G., null Karachinsky L. Ya., null Novikov I. I., null Babichev A. V., null Rochas S. S., null Vasyl’ev A. P., null Kuzmenkov A.G., null Maleev N.A., null Blokhin A.A., null Bobrov M. A., null Blokhin S.A.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:3
The analysis of internal optical loss and internal quantum efficiency in 1.3 μm-range InAlGaAsP/AlGaAs a composite n+-InGaAs/p+-InGaAs/p+-InAlGaAs tunnel junction obtained in the frame of molecular-beam epitaxy and wafer fusion technology. The level
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bb06ded5f3cdb1a82f7281b93a4fd6d0
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.15.53808.18938
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.15.53808.18938
Autor:
null Ustinov V.M., null Bugrov V.E., null Voropaev K.O., null Blokhin A. A., null Bobrov M. A., null Nashchekin A.V., null Troshkov S.I., null Blokhin S. A., null Vasyl’ev A. P., null Kulagina M.M., null Kuzmenkov A.G., null Maleev N.A.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:28
Mushroom mesa structure for InAlAs/InGaAs avalanche photodiodes (APD) was proposed and investigated. APD heterostructrures were grown by molecular-beam epitaxy. Fabricated APDs with the sensitive area diameter of about 30 micron were passivated by Si
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::69453869011e5b3c68de0e9f6fa27a26
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.14.52106.18939
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.14.52106.18939
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.