Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"Kushnarev, B. O"'
Autor:
Stepanov, S. I., Nikolaev, V. I., Almaev, A. V., Pechnikov, A. I., Scheglov, M. P., Chikiryaka, A. V., Kushnarev, B. O.
Gallium oxide films were grown by HVPE on (0001) sapphire substrates with and without $\alpha$-Cr$_2$O$_3$ buffer produced by RF magnetron sputtering. Deposition on bare sapphire substrates resulted in a mixture of $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ and $\epsilon$
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2106.09583
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Maksimova, N. K.1 (AUTHOR), Kushnarev, B. O.2 (AUTHOR) kuschnaryow@mail.ru, Khludkova, L. S.1 (AUTHOR), Biryukov, A. A.1 (AUTHOR), Sevast'yanov, E. Yu.1 (AUTHOR), Chernikov, E. V.1,2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Technical Physics. Aug2021, Vol. 66 Issue 8, p999-1008. 10p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Almaev, A. V.1 (AUTHOR), Kushnarev, B. O.1 (AUTHOR) Kuschnaryow@mail.ru, Chernikov, E. V.1 (AUTHOR), Novikov, V. A.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Technical Physics Letters. Oct2020, Vol. 46 Issue 10, p1028-1031. 4p.
Autor:
Polyakov, A. Y., Almaev, A. V., Nikolaev, V. I., Pechnikov, A. I., Shchemerov, V. I., Vasilev, A. A., Yakimov, E. B., Kochkova, A. I., Kopyev, V. V., Kushnarev, B. O, Pearton, S. J.
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science & Technology; Apr2023, Vol. 12 Issue 4, p1-8, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
null Chernikov E. V., null Butenko P. N., null Scheglov M. P., null Timashov R. B., null Chikiryaka A. V., null Stepanov S. I., null Pechnikov A. I., null Kushnarev B. O., null Almaev A. V., null Nikolaev V. I.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:76
The effect of the gaseous medium composition on the electrically conductive properties of In2O3-Ga2O3 films obtained by halide vapor phase epitaxy has been studied. In the temperature range of 100-550oC, the In2O3-Ga2O3 films exhibit high sensitivity
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::55fbc8c4230606e45d6cd07f4a731146
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.07.54046.19211
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.07.54046.19211