Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"Kurmantayev, A."'
RAN-agnostic communications can identify intrinsic features of the unknown signal without any prior knowledge, with which incompatible RANs in the same unlicensed band could achieve better coexistence performance than today's LBT-based coexistence. B
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2211.12287
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kurbanbekov, Sherzod, Rakhadilov, Bauyrzhan, Kakimzhanov, Dauir, Seitov, Bekbolat, Katpaeva, Karakoz, Kurmantayev, Abil, Dautbekov, Merkhat, Kengesbekov, Aidar
Publikováno v:
Coatings (2079-6412); Aug2024, Vol. 14 Issue 8, p1030, 12p
Publikováno v:
Eur. Phys. Jour. B, vol. 86, issue 7, p. 312 (2013)
Here we consider an interacting electron-phonon system within the framework of extended Holstein-Hubbard model at strong enough electron-phonon interaction limit in which (bi)polarons are the essential quasiparticles of the system. It is assumed that
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1308.2331
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tajibay Saparbaev, telecommunications named after Gumarbek Daukeyev, Abil Kurmantayev, Gulnoza Saburova, Mehribon Otajonova, Bakhrom Yavidov, Sagyn Tulepbergenov, Elzira Kutkeldiyeva
Publikováno v:
Theoretical & Applied Science. 92:263-272
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physics of the Solid State. 55:45-53
Films of the solid solutions Si1 − xSnx (0 ≤ x ≤ 0.04) on Si substrates have been grown by liquid phase epitaxy. The structural features of the films have been investigated using X-ray diffraction. The temperature behavior of current-voltage ch
Publikováno v:
International Journal of Modern Physics B. 21:169-178
Metal-insulator transitions (MITs) in doped uncompensated systems are investigated in the Mott–Hubbard and Anderson impurity models by considering the intercarrier correlation and screening effect of carriers in the same hydrogenic impurity center,
POSSIBLE QUANTITATIVE CRITERIA FOR THE MOTT AND ANDERSON TRANSITIONS IN DOPED UNCOMPENSATED SYSTEMS.
Publikováno v:
International Journal of Modern Physics B: Condensed Matter Physics; Statistical Physics; Applied Physics; 1/20/2007, Vol. 21 Issue 2, p169-178, 10p