Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Kuratomi, Takashi"'
Autor:
Saheli, Ghazal, Kuratomi, Takashi, Chen, I-cheng, Mack, Paul, LaziK, Christopher, Anthis, Jeffrey, Thompson, David M., Brundle, Christopher R.
Publikováno v:
In Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena July 2019 234:57-63
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kuratomi Takashi, David Thompson, Paul Mack, I-Cheng Chen, Christopher R. Brundle, Ghazal Saheli, Christopher Lazik, Jeffrey W. Anthis
Publikováno v:
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 234:57-63
A particular wafer processing step involves deposition of a Ti thin film (˜6 nm to ˜13 nm) on Si, under processing conditions intended to form a silicide with specific electrical properties. It is difficult, however, to distinguish silicide formati
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1f9938769df8064d07c15a17a048604c
https://doi.org/10.1016/j.elspec.2019.04.004
https://doi.org/10.1016/j.elspec.2019.04.004
Autor:
Jean Jordan-Sweet, Michael Chudzik, J. Ye, Christian Lavoie, Robin Chao, W. Wang, Charan V. V. S. Surisetty, Adra Carr, K. D. Chiu, Kuratomi Takashi, Shashank Sharma, E. Levrau, I-Cheng Chen, Raymond Hung, Avgerinos V. Gelatos, M. Stolfi, Nicolas Breil, H. Van Meer, Nicolas Loubet, Ahmet S. Ozcan
Publikováno v:
2017 Symposium on VLSI Technology.
We investigate a novel Ti Chemical Vapor Deposition (CVD Ti) technique for source/drain and trench contact silicidation. This work is a first demonstration of a highly selective, superconformal Ti process that exhibits a low p-type CVD Ti/SiGe:B cont
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9c17cf462ddae8a3fa4961a81cf38979
https://doi.org/10.23919/vlsit.2017.7998177
https://doi.org/10.23919/vlsit.2017.7998177
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kuratomi, Takashi1 takashi_kuratomi@amat.com, Diehl, Daniel L.2, See-Eng Phan3, Chien-Teh Kao4, Futase, Takuya5, Maekawa, Kazuyoshi6
Publikováno v:
Solid State Technology. Jan2007, Vol. 50 Issue 1, p33-36. 3p.