Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"Kuo-Sheng Wen"'
Autor:
Kuo-Sheng Wen, 文國昇
94
In this study, Microarray Etching of sapphire wafer was used to fabricate the near-ultraviolet InGaN-based light-emitting diodes (LEDs). In order to avoid the damage and strain to the substrate surface, we make use chemical etching, instead o
In this study, Microarray Etching of sapphire wafer was used to fabricate the near-ultraviolet InGaN-based light-emitting diodes (LEDs). In order to avoid the damage and strain to the substrate surface, we make use chemical etching, instead o
Externí odkaz:
http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/53930218963461344760
Autor:
Chang, Kun-Chia, Loh, El-Wui, Tang, Hsin-Pei, Chen, Chia-Min, Huang, Chun-Jung, Lan, Tsuo-Hung, Chiang, Ming-Tse, Kuo, Sheng-Wen, Chiu, Hsien-Jane
Publikováno v:
In Asian Journal of Psychiatry 2010 3(3):138-141
Autor:
Huang, Chun-Jung, Chiu, Hsien-Jane, Lan, Tsuo-Hung, Wang, Hsiao-Fan, Kuo, Sheng-Wen, Chen, Shuo-Fei, Yu, Yen-Hsin, Liu, Yun-Ru, Hu, Tsung-Ming, Loh, El-Wui
Publikováno v:
In Journal of Psychiatric Research 2010 44(2):63-68
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Physics and Chemistry of Solids. 69:714-718
The microstructure and electrical properties of the InGaN-based blue light-emitting diodes (LEDs) fabricated on patterned sapphire substrates (PSSs) with parallel grooves have been investigated. The PSS with parallel grooves (ridge: 2 μm; trench: 3
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a6a67c402c09afb1e3543a8c73e0c4f5
https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2007.07.075
https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2007.07.075
Autor:
Kuo Sheng Wen, Ren-Jye Dzeng
Publikováno v:
International Journal of Project Management. 23:483-491
Taipei 101, the tallest building in the world in 2004, is a super-large project that required many resources, exceeding a single contractor’s capacity, and the project owner had to seek additional specialist contractors for the resource gaps. This
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::07534bbb92f2e3b25356254aba219732
https://doi.org/10.1016/j.ijproman.2005.02.004
https://doi.org/10.1016/j.ijproman.2005.02.004
Autor:
Kuo-Sheng Wen, Wen-Yu Lin, Dong-Sing Wuu, R.-H. Horng, Liang-Wen Wu, Shih-Yung Huang, Shih-Feng Pai, Kun-Ching Shen
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 34:274-276
We demonstrate here a 380-nm ultraviolet InGaN flip-chip (FC) light-emitting diode (LED) with self-textured oxide mask (STOM-FCLED) structures fabricated in a large-area (1125 × 1125 μm2) FC configuration. An 83% enhancement in the external quantum
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::153bb8690b804472f20cc9fb2d53dd66
https://doi.org/10.1109/led.2012.2228462
https://doi.org/10.1109/led.2012.2228462
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters. 18:2623-2625
A novel flip-chip structure of GaN-sapphire light-emitting diodes (LEDs) was developed to improve the external quantum efficiency, where the sapphire substrate was textured and shaped with beveled sidewalls using a wet etching technique. The forward
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2b945183142f0e35f64efccfb3c97cde
https://doi.org/10.1109/lpt.2006.886823
https://doi.org/10.1109/lpt.2006.886823
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.