Zobrazeno 1 - 10
of 36
pro vyhledávání: '"Kuo, Cheng‐Wen"'
Autor:
Kuo, Cheng-Wen, 郭正聞
95
In this thesis, we demonstrate an optimum strained-Si structure based on SiGe virtual substrate, and display significant enhancement in transistor performance. The trade-off between electron mobility enhancement and short channel effect (SCE)
In this thesis, we demonstrate an optimum strained-Si structure based on SiGe virtual substrate, and display significant enhancement in transistor performance. The trade-off between electron mobility enhancement and short channel effect (SCE)
Externí odkaz:
http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/13654536020028183333
Publikováno v:
Solid State Phenomena. 311:64-73
With the advancement of technology, plastic products are inseparable in our environment, and the impact of the plastics industry on us is gradually increasing. Although Taiwan's plastics industry has been progressively added to mold flow analysis and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d0458b600ceb590997478a2f2f40a27f
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.311.64
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.311.64
Autor:
Kuo, Cheng Wen, Wu, San Lein, Chang, Shoou Jinn, Lin, Hau Yu, Wang, Yen Ping, Hung, Shang Chao
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2009 53(8):897-900
Autor:
Lin, Hau Yu, Wu, San Lein, Chang, Shoou Jinn, Kuo, Cheng Wen, Wang, Yen Ping, Hung, Shang Chao
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2009 53(8):905-908
Autor:
Su-Chang Chen, Yu-Chen Gao, Dyi-Cheng Chen, Jen-Chia Chang, Jia-Yue Guo, Hsi-Chi Hsiao, Kuo-Cheng Wen
Publikováno v:
Lecture Notes in Computer Science ISBN: 9783030638849
ICITL
ICITL
This study explores 38 students of mechanical engineering at the University of Technology. The experiment group and the control group are used to compare the differences in the satisfaction of students with and without the intervention of topic-orien
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5b7f1d01c4895b986a52bc1f65e4f35a
https://doi.org/10.1007/978-3-030-63885-6_20
https://doi.org/10.1007/978-3-030-63885-6_20
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC); 2016, p2928-2930, 3p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.