Zobrazeno 1 - 10
of 119
pro vyhledávání: '"Kunkel, K. A."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 1 August 2016 161:63-68
Publikováno v:
In International Journal of Mass Spectrometry 1 December 2014 374:12-19
Autor:
Westcott, N. E., Hilberg, S. D., Lampman, R. L., Alto, B. W., Bedel, A., Muturi, E. J., Glahn, H., Baker, M., Kunkel, K. E., Novak, R. J.
Publikováno v:
Bulletin of the American Meteorological Society, 2011 Sep 01. 92(9), 1173-1180.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/26218579
Autor:
Weaver, C. P., Liang, X.-Z., Zhu, J., Adams, P. J., Amar, P., Avise, J., Caughey, M., Chen, J., Cohen, R. C., Cooter, E., Dawson, J. P., Gilliam, R., Gilliland, A., Goldstein, A. H., Grambsch, A., Grano, D., Guenther, A., Gustafson, W. I., Harley, R. A., He, S., Hemming, B., Hogrefe, C., Huang, H.-C., Hunt, S. W., Jacob, D. J., Kinney, P. L., Kunkel, K., Lamarque, J.-F., Lamb, B., Larkin, N. K., Leung, L. R., Liao, K.-J., Lin, J.-T., Lynn, B. H., Manomaiphiboon, K., Mass, C., McKenzie, D., Mickley, L. J., O’Neill, S. M., Nolte, C., Pandis, S. N., Racherla, P. N., Rosenzweig, C., Russell, A. G., Salathé, E., Steiner, A. L., Tagaris, E., Tao, Z., Tonse, S., Wiedinmyer, C., Williams, A., Winner, D. A., Woo, J.-H., Wu, S., Wuebbles, D. J.
Publikováno v:
Bulletin of the American Meteorological Society, 2009 Dec 01. 90(12), 1843-1863.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/26225168
Publikováno v:
Bulletin of the American Meteorological Society, 2000 Mar 01. 81(3), 417-425.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/26215114
Autor:
Cho, H.K., Kang, J.H., Sulmoni, L., Kunkel, K., Rass, J., Susilo, N., Wernicke, T., Einfeldt, S., Kneissl, M.
The impact of plasma etching on the formation of low-resistance n-contacts on the AlGaN:Si current spreading layer during the chip fabrication of ultraviolet light-emitting diodes (UV LEDs) emitting at 265 nm is investigated. A two-step plasma etchin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9f121c78c820e19a66b4e7c5713b8ec4
https://depositonce.tu-berlin.de/handle/11303/16377
https://depositonce.tu-berlin.de/handle/11303/16377
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Doran, J. C., Barnes, F. J., Coulter, R. L., Crawford, T. L., Baldocchi, D. D., Balick, L., Cook, D. R., Cooper, D., Dobosy, R. J., Dugas, W. A., Fritschen, L., Hart, R. L., Hipps, L., Hubbe, J. M., Gao, W., Hicks, R., Kirkham, R. R., Kunkel, K. E., Martin, T. J., Meyers, T. P., Porch, W., Shannon, J. D., Shaw, W. J., Swiatek, E., Whiteman, C. D.
Publikováno v:
Bulletin of the American Meteorological Society, 1992 Nov 01. 73(11), 1785-1795.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/26230301