Zobrazeno 1 - 10
of 42
pro vyhledávání: '"Kumar, Aravindh"'
Publikováno v:
Advanced Photonics Research, 2023
Atomically thin two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDs), such as MoS$_2$, are promising candidates for nanoscale photonics because of strong-light matter interactions. However, Fermi level pinning due to metal-induced gap (MIGS)
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2301.12635
Autor:
Tang, Alvin, Kumar, Aravindh, Jaikissoon, Marc, Saraswat, Krishna, Wong, H. -S. Philip, Pop, Eric
Publikováno v:
ACS Appl. Mater. Interfaces 13, 41866 (2021)
Two-dimensional (2D) semiconductors have been proposed for heterogeneous integration with existing silicon technology; however, their chemical vapor deposition (CVD) growth temperatures are often too high. Here, we demonstrate direct CVD solid-source
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2109.01927
Autor:
Suh, Junkyo, Ramesh, Pranav, Meng, Andrew C., Kumar, Aravindh, Kumar, Archana, Gupta, Shashank, Islam, Raisul, McIntyre, Paul C., Saraswat, Krishna
We experimentally study III-V/Ge heterostructure and demonstrate InGaAs hetero-contacts to n-Ge with a wide range of In % and achieve low contact resistivity ($\rho_C$) of $5\times10^{-8} \Omega\cdot cm^2$ for Ge doping of $3 \times 10^{19} cm^{-3}$.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2106.15099
Autor:
Nazif, Koosha Nassiri, Daus, Alwin, Hong, Jiho, Lee, Nayeun, Vaziri, Sam, Kumar, Aravindh, Nitta, Frederick, Chen, Michelle, Kananian, Siavash, Islam, Raisul, Kim, Kwan-Ho, Park, Jin-Hong, Poon, Ada, Brongersma, Mark L., Pop, Eric, Saraswat, Krishna C.
Publikováno v:
Nature Communications 12, 7034 (2021)
Semiconducting transition metal dichalcogenides (TMDs) are promising for flexible high-specific-power photovoltaics due to their ultrahigh optical absorption coefficients, desirable band gaps and self-passivated surfaces. However, challenges such as
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2106.10609
Two-dimensional (2D) semiconductors are promising candidates for scaled transistors because they are immune to mobility degradation at the monolayer limit. However, sub-10 nm scaling of 2D semiconductors, such as MoS2, is limited by the contact resis
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2106.08673
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.