Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Kukurudziak, M. S."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kukurudziak M. S., Dobrovolsky Yu. G.
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 1-2, Pp 61-67 (2021)
P-n junction semiconductor photodetectors are widely used in various fields of science and technology, including automation and telecontrol, instrumentation equipment, tracking systems, guidance, etc. The most demanded photoelectronic devices are sil
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/990d5c48ecb04392b0f46c7e768b334e
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 5-6, Pp 16-19 (2020)
The paper presents the results of development, optimization and improvement of p–i–n photodiode technology based on high-resistance p-type silicon with increased responsivity at a wavelength of 1060 nm. The optimal material was selected and the t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ae50603b8bf04e0cbfe10667415559ed
Autor:
Kukurudziak, M. S.1 mykola.kukurudzyak@gmail.com
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2022, Vol. 25 Issue 4, p385-393. 9p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kukurudziak, M. S.
Publikováno v:
Journal of Nano- & Electronic Physics; 2022, Vol. 14 Issue 4, p1-6, 6p
Autor:
Kukurudziak, M. S.
Publikováno v:
Journal of Nano- & Electronic Physics; 2022, Vol. 14 Issue 1, p01023-1-01023-4, 4p
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; December 2021, Vol. 12126 Issue: 1 p121261V-121261V-8, 1091358p
Autor:
Kukurudziak, M. S., Maistruk, E. V.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; 4/3/2022, Vol. 12126, p121261V-121261V-8, 1p