Pulsed fast reactor neutron irradiation effects in Si doped n-type β-Ga2O3.

Autor: Polyakov, A Y, Smirnov, N B, Shchemerov, I V, Vasilev, A A, Yakimov, E B, Chernykh, A V, Kochkova, A I, Lagov, P B, Pavlov, Yu S, Kukharchuk, O F, Suvorov, A A, Garanin, N S, Lee, In-Hwan, Xian, Minghan, Ren, Fan, Pearton, S J

Publikováno v: Journal of Physics D: Applied Physics; 7/1/2020, Vol. 53 Issue 27, p1-10, 10p

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Pulsed fast reactor neutron irradiation effects in Si doped n-type β-Ga2O3.

Autor: Polyakov, A Y (AUTHOR) spear@mse.ufl.edu, Smirnov, N B (AUTHOR), Shchemerov, I V (AUTHOR), Vasilev, A A (AUTHOR), Yakimov, E B (AUTHOR), Chernykh, A V (AUTHOR), Kochkova, A I (AUTHOR), Lagov, P B (AUTHOR), Pavlov, Yu S (AUTHOR), Kukharchuk, O F (AUTHOR), Suvorov, A A (AUTHOR), Garanin, N S (AUTHOR), Lee, In-Hwan (AUTHOR), Xian, Minghan (AUTHOR), Ren, Fan (AUTHOR), Pearton, S J (AUTHOR)

Publikováno v: Journal of Physics D: Applied Physics. 7/1/2020, Vol. 53 Issue 27, p1-10. 10p.