Výsledky vyhledávání - "Kuharskaya, N. F."

Akademický článek

Determination of the Parameters of Metal–Insulator–Semiconductor Structures with Ultrathin Insulating Layer from High-Frequency Capacitance–Voltage Measurements.

Autor: Goldman, E. I.¹ (AUTHOR) gvc@ms.ire.rssi.ru, Kuharskaya, N. F.¹ (AUTHOR), Levashov, S. A.¹ (AUTHOR), Chucheva, G. V.¹ (AUTHOR)

Publikováno v: Semiconductors. Jan2019, Vol. 53 Issue 1, p42-45. 4p.

Zobrazit plný text záznamu

Plný text ve formátu HTML

Effect of dopant on piezoelectric and dielectric properties of thin films Bi-=SUB=-3.25-=/SUB=-La-=SUB=-0.75-=/SUB=-Ti-=SUB=-3-x-=/SUB=-A-=SUB=-x-=/SUB=-O-=SUB=-12-=/SUB=- (A --- Mn, Zr, Nb)

Autor: null Chucheva G. V., null Sivov A. A., null Naryshkina V. G., null Kuharskaya N. F., null Ilina T. S., null Starukhina S. S., null Kiselev D. A.

Publikováno v: Physics of the Solid State. 64:1459

It is shown that microstructure, dielectric and piezoelectric properties change in films based on lanthanum-substituted bismuth titanate (BLT) depending on the alloying impurity material, which leads to changes in coercive voltage, internal displacem

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ae8ea7bac2f997a55d74f72d43cc5374
https://doi.org/10.21883/pss.2022.10.54236.376

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání