Zobrazeno 1 - 10
of 607
pro vyhledávání: '"Kubicek, S."'
Autor:
Patomäki, S. M., Williams, J., Berritta, F., Laine, C., Fogarty, M. A., Leon, R. C. C., Jussot, J., Kubicek, S., Chatterjee, A., Govoreanu, B., Kuemmeth, F., Morton, J. J. L., Gonzalez-Zalba, M. F.
Publikováno v:
Phys. Rev. Applied 21, 054042 (2024)
Increasing the separation between semiconductor quantum dots offers scaling advantages by fa- cilitating gate routing and the integration of sensors and charge reservoirs. Elongated quantum dots have been utilized for this purpose in GaAs heterostruc
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2301.01650
Autor:
Stuyck, N. I. Dumoulin, Li, R., Godfrin, C., Elsayed, A., Kubicek, S., Jussot, J., Chan, B. T., Mohiyaddin, F. A., Shehata, M., Simion, G., Canvel, Y., Goux, L., Heyns, M., Govoreanu, B., Radu, I. P.
Larger arrays of electron spin qubits require radical improvements in fabrication and device uniformity. Here we demonstrate excellent qubit device uniformity and tunability from 300K down to mK temperatures. This is achieved, for the first time, by
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2108.11317
Autor:
Li, R., Stuyck, N. I. Dumoulin, Kubicek, S., Jussot, J., Chan, B. T., Mohiyaddin, F. A., Elsayed, A., Shehata, M., Simion, G., Godfrin, C., Canvel, Y., Ivanov, Ts., Goux, L., Govoreanu, B., Radu, I. P.
Publikováno v:
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2020), 38.3.1-38.3.4
We report on a flexible 300 mm process that optimally combines optical and electron beam lithography to fabricate silicon spin qubits. It enables on-the-fly layout design modifications while allowing devices with either n- or p-type ohmic implants, a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2102.03929
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chen, Y.Y., Goux, L., Pantisano, L., Swerts, J., Adelmann, C., Mertens, S., Afanasiev, V.V., Wang, X.P., Govoreanu, B., Degraeve, R., Kubicek, S., Paraschiv, V., Verbrugge, B., Jossart, N., Altimime, L., Jurczak, M., Kittl, J., Groeseneken, G., Wouters, D.J.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering December 2013 112:92-96
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.