Zobrazeno 1 - 10 of 101 pro vyhledávání: '"Kryzhkov, D."'
1
Akademický článek
Absorption cross section for the I → I transition of Er in Si:Er:O/SOI epitaxial layers.
Autor: Kudryavtsev, K. konstantin@ipmras.ru, Kryzhkov, D., Krasil'nikova, L., Shengurov, D., Shmagin, V., Andreev, B., Krasil'nik, Z.
Publikováno v: JETP Letters. Feb2015, Vol. 100 Issue 12, p807-811. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Specific features of the nonradiative relaxation of Er ions in epitaxial Si structures.
Autor: Kudryavtsev, K. konstantin@ipmras.ru, Kryzhkov, D., Antonov, A., Shengurov, D.1, Shmagin, V., Krasilnik, Z.
Publikováno v: Semiconductors. Dec2014, Vol. 48 Issue 12, p1586-1591. 6p.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Investigation of GaAs/AlGaAs quantum cascade structures by optical methods based on hot luminescence in the near-infrared range.
Autor: Maremyanin, K. kirillm@ipm.sci-nnov.ru, Kryzhkov, D., Morozov, S., Sergeev, S.1, Kuritsyn, D.1, Gaponova, D.1, Aleshkin, V., Sadof'ev, Yu.2
Publikováno v: Semiconductors. Nov2014, Vol. 48 Issue 11, p1463-1466. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Spectral-kinetic properties of heterostructures with GaAsSb/InGaAs/GaAs-based quantum wells emitting in the range of 1.0-1.2 μm.
Autor: Morozov, S.1 more@ipm.sci.-nnov.ru, Kryzhkov, D.1, Aleshkin, V.1, Zvonkov, B.2, Vikhrova, O.2
Publikováno v: Semiconductors. Nov2013, Vol. 47 Issue 11, p1504-1507. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Diagnostics of quantum cascade structures by optical methods in the near infrared region.
Autor: Kryzhkov, D.1, Morozov, S.1, Gaponova, D.1, Sergeev, S.1, Kuritsyn, K.1, Maremyanin, K.1 kirillm@ipm.sci-nnov.ru, Gavrilenko, V.1, Sadofyev, Yu.2
Publikováno v: Semiconductors. Nov2012, Vol. 46 Issue 11, p1411-1414. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Light-Emitting Si:Er Structures Produced by Molecular-Beam Epitaxy: High-Resolution Photoluminescence Spectroscopy.
Autor: Kryzhkov, D. I.1, Sobolev, N. A.2 nick@sobolev.ioffe.rssi.ru, Andreev, B. A.1, Denisov, D. V.2, Krasil'nik, Z. F.1, Shek, E. I.2
Publikováno v: Semiconductors. Dec2005, Vol. 39 Issue 12, p1399-1402. 4p.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje