Zobrazeno 1 - 10
of 72
pro vyhledávání: '"Krylov, G. G."'
Autor:
Grushevskaya, H. V., Krylov, G. G.
Due to effect of Klein tunneling two-dimensional graphene quantum dots do not possess genuine bound states but quasi-bound (resonant tunneling) states only. We discuss in detail the attempt to describe these states within the framework of the Dirac p
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2111.11824
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Modern Physics Letters B; 7/30/2024, Vol. 38 Issue 21, p1-14, 14p
Autor:
Grushevskaya, H. V., Krylov, G. G.
Application of secondary quantized self-consistent Dirac -- Hartree -- Fock approach to consider electronic properties of monolayer graphene with accounting of spin-polarized states allows to coherently explain experimental results on energy band min
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1309.1847
Publikováno v:
Nonlinear Phenomena in Complex Systems. 2008. Vol. 11, P. 403 -- 416
Schr\"{o}dinger equation in Lobachevsky and Riemann 4-spaces has been solved in the presence of external magnetic field that is an analog of a uniform magnetic field in the flat space. Generalized Landau levels have been found, modified by the presen
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1002.3903
Publikováno v:
Ric.Mat. 59: 59-96,2010
Complex formalism of Riemann - Silberstein - Majorana - Oppenheimer in Maxwell electrodynamics is extended to the case of arbitrary pseudo-Riemannian space - time in accordance with the tetrad recipe of Tetrode - Weyl - Fock - Ivanenko. In this appro
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0907.0839
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Grushevskaya, H. V.1 (AUTHOR) grushevskaja@bsu.by, Krylov, G. G.1 (AUTHOR) krylov@bsu.by
Publikováno v:
Semiconductors. 2020, Vol. 54 Issue 12, p1737-1739. 3p.
Autor:
Grushevskaya, H. V.1, Krylov, G. G.1 krylov@bsu.by
Publikováno v:
Semiconductors. Dec2018, Vol. 52 Issue 14, p1879-1881. 3p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.