Zobrazeno 1 - 10
of 29
pro vyhledávání: '"Kruszka, Renata"'
Autor:
Tarenko, Jarosław, Kamiński, Maciej, Taube, Andrzej, Ekielski, Marek, Kruszka, Renata, Zadura, Magdalena, Szerling, Anna, Prystawko, Paweł, Boćkowski, Michał, Król, Krystian, Jankowska‐Śliwińska, Joanna, Komorowska, Katarzyna, Grzegory, Izabella
Publikováno v:
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Nov2024, Vol. 221 Issue 21, p1-6, 6p
Autor:
Taube, Andrzej, Kaczmarski, Jakub, Kruszka, Renata, Grochowski, Jakub, Kosiel, Kamil, Gołaszewska-Malec, Krystyna, Sochacki, Mariusz, Jung, Wojciech, Kamińska, Eliana, Piotrowska, Anna
Publikováno v:
In Solid State Electronics September 2015 111:12-17
Autor:
A. Kozubal Maciej, Pągowska Karolina, Taube Andrzej, Kruszka Renata, Masłyk Monika, Eliana Kamińska
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 146:106674
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ed3eafbaf0a2ca1cd7304bb606a6fac9
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.106674
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.106674
Autor:
Rouhi, Sina, Ozdemir, Mehtap, Ekmekcioglu, Merve, Yigen, Serap, Demirhan, Yasemin, Szerling, Anna, Kosiel, Kamil, Kozubal, Maciej, Kruszka, Renata, Prokaryn, Piotr, Ertugrul, Mehmet, Reno, John L., Aygun, Gulnur, Ozyuzer, Lutfi
The choice of metals, bonding conditions and interface purity are critical parameters for the performance of metal-metal bonding quality for quantum cascade lasers (QCLs). Here, we present a novel approach for the thermocompression bonding of Cu-Cu t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=r39c86a4b39b::d0cc6a3bac8d88623e1465dac0ec9cbf
https://aperta.ulakbim.gov.tr/record/239438
https://aperta.ulakbim.gov.tr/record/239438
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Taube Andrzej, Kaminska Eliana, Sankowska Iwona, Pągowska Karolina, Maciej Kozubal, Kruszka Renata
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 122:105491
The aspects of Si+ implantation for low resistivity ohmic contact formation to gallium nitride (GaN) with moderate annealing temperatures for dopant activation were studied: encapsulation layer and temperature for activation annealing, and implantati
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d15e200c1362e6aacf1d5c14ea8bafa0
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.105491
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.105491
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.