Zobrazeno 1 - 10
of 147
pro vyhledávání: '"Krupenin V"'
Autor:
Guthrie, A., Kafanov, S., Noble, M. T., Pashkin, Yu. A., Pickett, G. R., Tsepelin, V., Dorofeev, A. A., Krupenin, V. A., Presnov, D. E.
Since we still lack a theory of classical turbulence, attention has focused on the conceptually simpler turbulence in quantum fluids. Can such systems of identical singly-quantized vortices provide a physically accessible "toy model" of the classical
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2007.04482
Autor:
Presnov, D. E., Kafanov, S., Dorofeev, A. A., Bozhev, I. V., Trifonov, A. S., Pashkin, Yu. A., Krupenin, V. A.
Resonance properties of nanomechanical resonators based on doubly clamped silicon nanowires, fabricated from silicon-on-insulator and coated with a thin layer of aluminum, were experimentally investigated. Resonance frequencies of the fundamental mod
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1809.07215
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physics -- Uspekhi (Russia) [Usp. Fiz. Nauk (Suppl.)] 171, 113-116 (2001); J. Appl. Phys. 90, 2411 (2001)
We report on a new type of single-electron transistor (SET) comprising two highly resistive Cr thin-film strips (~ 1um long) connecting a 1 um-long Al island to two Al outer electrodes. These resistors replace small-area oxide tunnel junctions of tra
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0011427
Publikováno v:
Journal of Low Temperature Physics, Vol. 118, Nos. 5/6, 2000, pp.287
The low-frequency noise figures of single-electron transistors (electrometers) of traditional planar and new stacked geometry were compared. We observed a correlation between the charge noise and the contact area of the transistor island with a diele
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/9912179
Publikováno v:
J. Appl. Phys. 84, 3212-3215 (1998)
We have fabricated and examined several Al single electron transistors whose small islands were positioned on top of a counter electrode and hence did not come into contact with a dielectric substrate. The equivalent charge noise figure of all transi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/9804197
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bozhev, I. V.1,2 (AUTHOR) bozhjev.ivan@physics.msu.ru, Krupenin, V. A.1,2 (AUTHOR), Presnov, D. E.1,2,3 (AUTHOR), Tsiniaikin, I. I.1,2 (AUTHOR), Dorofeev, A. A.1,2 (AUTHOR), Trifonov, A. S.1,2 (AUTHOR) trifonov.artem@physics.msu.ru
Publikováno v:
Technical Physics. May2020, Vol. 65 Issue 5, p832-838. 7p. 4 Color Photographs, 1 Black and White Photograph, 1 Graph.
Publikováno v:
Doklady Physics. Jun2018, Vol. 63 Issue 6, p249-252. 4p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.