Zobrazeno 1 - 10
of 60
pro vyhledávání: '"Kriukov, R.N."'
Publikováno v:
In Heliyon March 2019 5(3)
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
null Zubkov S.Yu., null Vikhrova O.V., null Lesnikov V.P., null Danilov Yu.A., null Kriukov R.N.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 49:42
Low-temperature device-quality GaAs layers with high resistivity were obtained by pulsed laser deposition. The properties of GaAs layers are sensitive to the process temperature. At a growth temperature of less than 300oC, the layers have low electro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cb1f75db27f6da6bbe2ac0778ab70f3d
https://doi.org/10.21883/tpl.2023.02.55370.19372
https://doi.org/10.21883/tpl.2023.02.55370.19372
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.