Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Krause, Hans Michael"'
Autor:
Gang, Niu, Capellini, Giovanni, Hatami, Fariba, DI BARTOLOMEO, Antonio, Niermann, Tore, Hussein, Emad Hameed, Schubert, Markus A., Krause, Hans Michael, Zaumseil, Peter, Skibitzki, Oliver, Masselink, William T., Lehmann, Michael, Xie, Ya Hong, Schroeder, Thomas
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3666::7df1ce1c2460b7725a5fe2f4b2f52910
http://hdl.handle.net/11386/4675669
http://hdl.handle.net/11386/4675669
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Seifert, Winfried, Amkreutz, Daniel, Arguirov, Tzanimir, Krause, Hans Michael, Schmidt, Manfred
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; August 2011, Vol. 178 Issue: 1 p116-121, 6p
Autor:
Markus Andreas Schubert, Tore Niermann, Fariba Hatami, Grzegorz Lupina, Emad H. Hussein, Peter Zaumseil, William Ted Masselink, Gang Niu, Antonio Di Bartolomeo, Thomas Schroeder, H. M. Krause, Ya-Hong Xie, Oliver Skibitzki, Michael Lehmann, Giovanni Capellini
Publikováno v:
ACS applied materialsinterfaces. 8(40)
The epitaxial integration of highly heterogeneous material systems with silicon (Si) is a central topic in (opto-)electronics owing to device applications. InP could open new avenues for the realization of novel devices such as high-mobility transist
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::78bc7288ecfd926755ee4609e6fc7a27
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/27642767
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/27642767
Autor:
Tore Niermann, Peter Zaumseil, Thomas Schroeder, Ya-Hong Xie, Gang Niu, Jens Katzer, Giovanni Capellini, Hans von Känel, Markus Andreas Schubert, Oliver Skibitzki, Michael Lehmann, H. M. Krause
Publikováno v:
Scientific Reports, 6
Scientific reports, vol 6, iss 1
Scientific Reports
'Scientific Reports ', vol: 6, pages: 22709-1-22709-11 (2016)
Niu, G; Capellini, G; Schubert, MA; Niermann, T; Zaumseil, P; Katzer, J; et al.(2016). Dislocation-free Ge Nano-crystals via Pattern Independent Selective Ge Heteroepitaxy on Si Nano-Tip Wafers. SCIENTIFIC REPORTS, 6. doi: 10.1038/srep22709. UCLA: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/70j35348
Scientific reports, vol 6, iss 1
Scientific Reports
'Scientific Reports ', vol: 6, pages: 22709-1-22709-11 (2016)
Niu, G; Capellini, G; Schubert, MA; Niermann, T; Zaumseil, P; Katzer, J; et al.(2016). Dislocation-free Ge Nano-crystals via Pattern Independent Selective Ge Heteroepitaxy on Si Nano-Tip Wafers. SCIENTIFIC REPORTS, 6. doi: 10.1038/srep22709. UCLA: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/70j35348
The integration of dislocation-free Ge nano-islands was realized via selective molecular beam epitaxy on Si nano-tip patterned substrates. The Si-tip wafers feature a rectangular array of nanometer sized Si tips with (001) facet exposed among a SiO2
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0459d0a9118312cdd52e87e1e66e2225
https://hdl.handle.net/20.500.11850/114191
https://hdl.handle.net/20.500.11850/114191
Autor:
Grzegorz Lupina, Peter Zaumseil, Giovanni Capellini, Gang Niu, Thomas Schroeder, Marco Salvalaglio, Markus Andreas Schubert, Francesco Montalenti, Oliver Skibitzki, Tore Niermann, Ya-Hong Xie, H. M. Krause, Michael Lehmann, Anna Marzegalli
Publikováno v:
Niu, G; Capellini, G; Lupina, G; Niermann, T; Salvalaglio, M; Marzegalli, A; et al.(2016). Photodetection in Hybrid Single-Layer Graphene/Fully Coherent Germanium Island Nanostructures Selectively Grown on Silicon Nanotip Patterns. ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 8(3), 2017-2026. doi: 10.1021/acsami.5b10336. UCLA: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/6335w5hd
ACS applied materials & interfaces, vol 8, iss 3
ACS applied materials & interfaces, vol 8, iss 3
Dislocation networks are one of the most principle sources deteriorating the performances of devices based on lattice-mismatched heteroepitaxial systems. We demonstrate here a technique enabling fully coherent germanium (Ge) islands selectively grown
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e60a80afe1fbd53b85c673d2dca5618f
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/26709534
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/26709534