Zobrazeno 1 - 10
of 56
pro vyhledávání: '"Kramm, B."'
Autor:
Lu, Y.M., Jiang, J., Becker, M., Kramm, B., Chen, L., Polity, A., He, Y.B., Klar, P.J., Meyer, B.K.
Publikováno v:
In Vacuum December 2015 122 Part B:347-352
Publikováno v:
In Energy Procedia 2014 44:32-36
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 24, pN.PAG-N.PAG, 6p, 1 Diagram, 1 Chart, 6 Graphs
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2016, Vol. 120 Issue 18, p185705-1-185705-7, 7p, 1 Color Photograph, 6 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2015 MRS Spring Meeting, 06.-10.04.2015, San Francisco, USA
Zn1-xMgxO:Al (0.32 ≤ x ≤ 0.43) films were prepared by RF sputter deposition on c-sapphire and soda lime glass substrates with increasing growth temperatures from 298 up to 673 K. A ceramic ZnMgO:Al target was used as deposition material. The infl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::d6b6a82b31732b41c4708735e5171cf9
https://www.hzdr.de/publications/Publ-21688-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-21688-1
Publikováno v:
Energy Procedia
Several growth methods were employed to investigate the photovoltaic behavior of GaN/Cu[subscript 2]O heterojunctions by depositing cuprous oxide thin films on top of gallium nitride templates. The templates consist of a thin layer of GaN:Si grown on
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od________88::24b40697037c0d3ed9a609858040c98c
http://hdl.handle.net/1721.1/97252
http://hdl.handle.net/1721.1/97252
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kramm, B., Laufer, A., Reppin, D., Kronenberger, A., Hering, P., Polity, A., Meyer, B. K., Justus Liebig University Giessen
Using photoelectron spectroscopy, we investigate the band alignments of the Cu2O/ZnO heterointerface and compare the findings with the corresponding values for Cu2O/GaN. While for Cu2O/ZnO, we find a valence band offset (VBO) of 2.17 eV and a conduct
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1e717b34724b40a50dfde83954b13f07
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.