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The nitrogen-vacancy (NV) center occurs in GaAs bulk crystals doped or implanted with nitrogen. The local vibration of nitrogen gives rise to a sharp infrared absorption band at 638 cm$^{-1}$, exhibiting a fine structure due to the different masses o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1710.10624
Autor:
Koster, Dirk, Netzelmann, Udo, Quirin, Steven, Oswald, Jan, Jungmann, Christian, Rick, Rainer, Stopp, Philipp, Brosta, Nico, Gieser, Horst, Kovac, Nicola, Meixner, Leonhard, Altmann, Frank, Brand, Sebastian
Die Mikroelektronik ist zu einem unverzichtbaren Bestandteil unseres Lebens geworden und eine Schlüsseltechnologie der fortschreitenden Digitalisierung und Vernetzung unserer Gesellschaft. Der rasant zunehmende Einsatz von Elektroniksystemen in krit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d8b40dce8bbedff505edbd963968117a
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 7p, 3 Diagrams, 2 Charts, 6 Graphs