Zobrazeno 1 - 10
of 655
pro vyhledávání: '"Kouvetakis J"'
Publikováno v:
Zeitschrift für Kristallographie - New Crystal Structures, Vol 217, Iss 1, Pp 421-422 (2002)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3378e3f5702646ceaed08a5ba1bb8add
Publikováno v:
Zeitschrift für Kristallographie - New Crystal Structures, Vol 216, Iss 1-4, Pp 489-490 (2001)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a0e460d5396c462e866ae35130d27edd
Autor:
Jiang, L., Gallagher, J. D., Senaratne, C. L., Aoki, T., Mathews, J., Kouvetakis, J., Menéndez, J.
The compositional dependence of the lowest direct and indirect band gaps in $\text{Ge}_{1-y}\text{Sn}_{y}$ has been determined from room-temperature photoluminescence measurements. This technique is particularly attractive for a comparison of the two
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1406.0448
Publikováno v:
In Thin Solid Films 1 March 2019 673:63-71
Publikováno v:
In Materials Today: Proceedings 2019 14 Part 1:38-42
The optical emission spectra from Ge films on Si are markedly different from their bulk Ge counterparts. Whereas bulk Ge emission is dominated by the material's indirect gap, the photoluminescence signal from Ge films is mainly associated with its di
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1106.3300
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2010 518(9):2531-2537
Autor:
Xie, Junqi, Tolle, J., D’Costa, V.R., Weng, C., Chizmeshya, A.V.G., Menendez, J., Kouvetakis, J.
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2009 53(8):816-823