Zobrazeno 1 - 10
of 269
pro vyhledávání: '"Kouvetakis, John"'
Autor:
Zhang, Aixin, Ringuala, Dhruve A., Mircovich, Matthew A., Roldan, Manuel A., Kouvetakis, John, Menéndez, José
$\rm{Ge}_{1-x-y}Si_{x}Sn_{y}$ alloys were grown on Ge buffer layers at ultra-low temperature using reactions of $\rm SnH_{4}$ and $\rm GeH_{3}Cl$ for the first time. The latter is a newly introduced CVD source designed for epitaxial development of gr
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2408.12044
A practical quantitative model is presented to account for the I-V characteristics of pin diodes based on epitaxial Ge-like materials. The model can be used to quantify how the different material properties and recombination mechanisms affect the dio
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2311.00198
A consistent methodology is presented to extract carrier concentrations in n-type Ge from measurements of the infrared dielectric function and the Hall effect. In the case of the optical measurements, usually carried out using spectroscopic ellipsome
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2304.04815
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 3/28/2024, Vol. 135 Issue 12, p1-16, 16p
Autor:
Xu, Chi, Wallace, Patrick M., Ringwala, Dhruve A., Chang, Shery L. Y., Poweleit, Christian D., Kouvetakis, John, Menéndez, José
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 114, 212104 (2019)
$\text{Ge}_{1-y}\text{Sn}_y$ alloys with compositions in the 0.15 < $y$ < 0.30 range have been grown directly on Si substrates using a chemical vapor deposition approach that allows for growth temperatures as high as 290 $^{\circ}$C. The films show s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1904.07201
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jo, Hyun-Jun, Kim, Geun Hyeong, Kim, Jong Su, Ryu, Mee-Yi, Yeo, Yung Kee, Harris, Thomas R., Kouvetakis, John
Publikováno v:
In Current Applied Physics January 2016 16(1):83-87
Autor:
Kouvetakis, John, Wallace, Patrick M., Xu, Chi, Ringwala, Dhruve A., Mircovich, Matthew, Roldan, Manuel A., Webster, Preston T., Grant, Perry C., Menéndez, José
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces; 10/18/2023, Vol. 15 Issue 41, p48382-48394, 13p